• 한국표면공학회지
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• 제41권5호
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• pp.189-193
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• 2008

In this study, we carried out an investigation of the etching characteristics (etch rate, selectivity to $SiO_2$ and $HfO_2$) of TiN thin films in the $CH_4$/Ar inductively coupled plasma. The maximum etch rate of $274\;{\AA}/min$ for TiN thin films was obtained at $CH_4$(80%)/Ar(20%) gas mixing ratio. At the same time, the etch rate was measured as function of the etching parameters such as RF power, Bias power, and process pressure. The X-ray photoelectron spectroscopy analysis showed an efficient destruction of the oxide bonds by the ion bombardment as well as showed an accumulation of low volatile reaction products on the etched surface. Based on these data, the ion-assisted chemical reaction was proposed as the main etch mechanism for the $CH_4$ containing plasmas.

• 한국결정성장학회지
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• 제13권6호
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• pp.315-319
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• 2003

양식된 해수진주와 담수진주의 품질, 수량, 색상 등과 특성을 알아보았다. XRF 측정에서는 Ca 화합물이 주성분이며 해수진주에서는 Sr이 담수진주는 Si, S, Ca, Mn, P 등의 원소가 더 많이 검출되었다. 이러한 차이는 해수와 담수에 녹아 있는 이온이 진주성분에 영향을 준 것으로 판단된다. FT-IR 측정에서 거의 동일한 구조적인 peak를 나타내지만 2344$\textrm {cm}^{-1}$에서 담수진주의 흡수대가 나타났다. 광원으로 He-Cd Laser 사용으로 455 nm에서 peak는 담수진주가 높았고, Ar Laser 사용으로 담수진주는 545 nm에서 해수진주는 570 nm에서의 peak가 높았다

• 제어로봇시스템학회논문지
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• 제14권4호
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• pp.336-341
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• 2008

Recently, research on a flat panel display(FPD) has focused on organic light-emitting display(OLED) which has wide angle of view, high contrast ratio and low power consumption. ITO(Indium-Tin-Oxide) films are the most widely used material as a transparent electrode of OLED and also in many other display devices like LCD or PDP. The performance and efficiency of OLED is related to the surface condition of ITO coated glass substrate. The typical surface defect of glass substrate is measured for electric characteristics and physical condition for transmittance and roughness. Since ITO coated glass substrate can be destroyed for inspection about surface roughness, sheet resistance, film thickness and transmittance, precise fabrication condition should be made based on the estimated relationship. In this paper, ITO films were prepared on the commercial glass substrate by the Ion-Plating method changing the partial pressure of gas(Ar, 02) and the chamber temperature between $200^{\circ}C$ and $300^{\circ}C$. The characteristics of films were examined by the 4-point probe, supersonic thickness measurement, transmittance measurement and AFM. We estimated the relationship between processing parameters(Ar gas, O2 gas, Temperature) and properties of ITO films (Sheet Resistance, Film Thickness, Transmittance, Surface Roughness).

• 한국진공학회지
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• 제12권S1호
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• pp.7-9
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• 2003

Solid-state reactions in Ni/Si multilayered films (MLF) with an overall stoichiometry of $Ni_2Si$, NiSi and $NiSi_2$, induced by ion-beam mixing (IBM) and thermal annealing, were studied by using spectroscopic ellipsometry and magneto-optical spectroscopy as well as x-ray diffraction (XRD). The mixing was performed with Ar+ ions of an energy of 80 keV and a dose of $1.5 x\times10^{16}$ $Ar^+$/$\textrm{cm}^2$. It was shown that the IBM induces structural changes in the Ni/Si MLF, which cannot be detected by XRD but are confidently recognized by the optical method. A thermal annealing at 673 K of the Ni/Si MLF with an overall stoichiometry of NiSi and $NiSi_2$ causes formation of the first η -NiSi phase. The first trace for $NiSi_2$ phase on the background of NiSi one was detected by XRD after an annealing at 1073 K while, according to the optical results, $NiSi_2$ turns out be the dominant phase for the annealed Ni/Si MLF with an overall stoichiometry of $NiSi_2$.

• 한국재료학회지
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• 제5권5호
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• pp.503-511
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• 1995

금속/실리콘계에 대한 이온선 혼합시의 비정질상 및 결정상 형성여부를 예측할 수 있는 모델(ADF Model)과초기 결정상 예측 모델(PDF Model)의 적용을 실험적으로 조사하기 위하여 Ni/Si계에 대한 이온선 혼합을 온도와 이온선량을 변수로 하여 행하였으며 상형ㅅㅇ과정을 해석하였다. 이온선 혼합은 80keV가속기를 이용하여 상온~20$0^{\circ}C$의 온도 범위에서 1.0 $\times$ $10^{15}$Ar^{+}$/$cm^{2}$~2.0 $\times$ $10^{-16}$Ar^{+}$/$cm^{2}$의 이온선량을 변화시키면서 실험하였고, 상분석은 TEM과 GXRD를 이용하였다. Ni/Si게에 대한 ADF값은 0.804로 양의 값을 가지므로 이온선 혼합시 비정실상이 형성되고, $Ni_{2}$Si상이 다른 화합물상보다 훨씬 큰 음의 PDF값을 갖으므로 초기 결정상이 $Ni_{2}$Si가 될 것을 예측하였다. 이러한 예측은 실험결과와 매우 잘 일치하였다. 이상의 연구결과로부터 ADF 및 PDF모델을 이용하여 박막에서 형성되는 상을 보다 정확히 예측할수 잇음을 알 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제7권4호
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• pp.410-414
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• 1998

본 연구에서는 플라즈마 중합 반응의 기판 재질과 전극 위치에 대한 의존성을 규명 하기 위해서 Ar방전의 발광 분석을 행하였으며 제작된 박막의 가교성을 확인하기 위해서 전자빔 노광을 시켜보았다. 기판의 재질이 도체 및 절연체인 양자의 경우를 비교해 보면 전 자는 후자에 비해서 전체적으로 발광 스펙트럼의 피이크 강도가 크게 나타났으며, 준안정상 태에 대한 피이크와 이온에 대한 피이크를 검토한 결과, 기판이 절연물일 때는 전극의 위치 를 멀게 할수록 이온의 피이크 강도가 극단까지 떨어짐을 알 수 있었다. 제작된 중합스티렌 박막을 통하여 발광 스펙트럼의 변화에 따라서 막의 가교성 변화가 생기는 것을 알 수 있었 으며 이 막을 전자빔에 노광하였을 때, 기판이 절연물인 경우에는 패턴을 제작하는 것이 가 능하였다.

• 한국재료학회지
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• 제10권11호
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• pp.743-748
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• 2000

리튬이온이차전지의 부극재로 사용되는 탄소재인 비정질 탄소(needle cokes)에 $B_2O_3$를 첨가하여 공기중의 질소 분위기와 Ar 분위기에서 고온으로 흑연화 열처리를 하였을 때의 표면미세구조의 변화와 제 2상의 분포를 투과전자현미경으로 분석하였다. 또한 전지용량, 전지효율과 같은 전지성능이 탄소재의 표면미세구조와 관련되어 있음을 고찰하였다.

• Current Optics and Photonics
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• 제5권5호
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• pp.576-582
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• 2021

Dichroic beam-splitter (DBS) with polarization-maintaining took an important role in the free space quantum telecommunication tests on the Micius satellite of China. In this presentation, we designed and prepared a 50 layer polarization-maintaining DBS coating by a dual ion beam sputtering deposition (Dual-IBS) method. In order to solve a stress problem, an 18 layer special anti-reflection (AR) coating with similar physical thickness ratio was deposited on the backside. By stress compensation, the surface flatness RMS value of the DBS sample decreased from 0.341 λ (@632.8 nm) to 0.103 λ while beam splitting and polarization maintaining properties were almost kept unchanged. Further, we discussed the mechanism of film stress and stress compensation by equation deduction and found that total stress had a strong relationship with the total physical thickness and the ratio of layer materials.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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• 제21권1호
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• pp.15-17
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• 2019

We present terahertz optical properties of $GdBa_2Cu_3O_{7-x}$ (GdBCO) superconducting thin films. GdBCO films with a thickness of about 105 nm were grown on a $LaAlO_3$ (LAO) single crystal substrate using a conventional pulsed laser deposition (PLD) technique. Using an Ar ion milling system, the thickness of the GdBCO film was reduced to 58 nm, and its surface was also smoothened. Terahertz (THz) transmission spectra through two different GdBCO films are measured over the range between 0.2 and 1.5 THz using THz time domain spectroscopy. Interestingly, the THz transmission of the thinner GdBCO film has been increased to six times larger than that of the thicker one, while the thinner film is still maintaining its superconducting property at below 90 K.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제25권4호
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• pp.75-81
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• 2018

Cu-Cu 웨이퍼 본딩 강도를 향상시키기 위한 Cu 박막의 표면처리 기술로 $Ar-N_2$ 플라즈마 처리 공정에 대해 연구하였다. $Ar-N_2$ 플라즈마 처리가 Cu 표면의 구조적 특성에 미치는 영향을 X선 회절분석법, X선 광전자 분광법, 원자간력현미경을 이용하여 분석하였다. Ar 가스는 플라즈마 점화 및 이온 충격에 의한 Cu 표면의 활성화에 사용되고, $N_2$ 가스는 패시베이션(passivation) 층을 형성하여 -O 또는 -OH와 같은 오염으로부터 Cu 표면을 보호하기 위한 목적으로 사용되었다. Ar 분압이 높은 플라즈마로 처리한 시험편은 표면이 활성화되어 공정 이후 더 많은 산화가 진행되었고, $N_2$ 분압이 높은 플라즈마 시험편에서는 Cu-N 및 Cu-O-N과 같은 패시베이션 층과 함께 상대적으로 낮은 수치의 산화도가 관찰되었다. 본 연구에서는 $Ar-N_2$ 플라즈마 처리가 Cu 표면에서 Cu-O 형성 억제 반응에 기여하는 것을 확인할 수 있었으나 추가 연구를 통하여 질소 패시베이션 층이 Cu 웨이퍼 전면에 형성되기 위한 플라즈마 가스 분압 최적화를 진행하고자 한다.