• 한국결정학회지
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• 제5권2호
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• pp.108-112
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• 1994

C19H20O5, Mr=314.337,삼사정계,PI, a=10.291(2)A, b=11.218(3)A, c=3.059(1)A, α=74.54(2)°,β=1148.84(1)°,r=109.84(2)°,V=883.283(2)A3, λ(Mo Kα)=0.71069A, μ=0.47 mm-1, F(000)=324, 296K, Z=2, Dx=1.18Mgm-3. 1637[F>3σ(F)]개 독립 반사면에 대한 최종 R=0.0580이다. α,β-diphenylsuccinic acid,C16H14O4, 분자들은 O(4)-H˙˙˙O(5)수소결합에 의하여 용체인 acetone과 결합되어 있고 중심대칭관계에 있는 dimer는 분자간의 carboxylic 수소결합 O(1)-H˙˙˙O(2)(-x,-y,-z)에 의하여 결합되어 있다. Dimer간의 가장 가까운 거리 3.288A[O(2)˙˙˙O(2)(-x,-y,-z)]은 분자들의 packing이 van der Waals 력으로 이루어졌음을 보인다.

• 한국세라믹학회지
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• 제34권2호
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• pp.145-156
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• 1997

2성분계(CaO-, Y2O3-, MgO-ZrO2) 및 3성분계(MgO-ZrO2-Al2O3)ZrO2분말의 안정화제 종류, 첨가량 및 열처리온도 변화에 따른 ZrO2의 상전이를 X-선 회절과 Raman분광법으로 연구하였다. CaO-, 및 Y2O3-ZrO2계에서 CaO와 Y2O3의 첨가량이 각각 6~15mol% 및 3~15mol%로 증가에 따른 정방정상에서의 입방정상으로의 상전이를 X-선회절 pattern으로는 판별하기 어려웠으나, Raman spectra에서는 모든 Raman band가 저파수쪽으로 이동하고 band의 수 및 그 세기가 현저히 감소함을 관찰할 수 있었다. 이것은 정방정$\longrightarrow$입방정의 상전이가 발생한 것으로 ZrO2 격자내에서 Zr4+ 이온과 Ca2+ 혹은 Y3+이온의 치환에 의해 산소이온의 빈자리 생성으로 인한 구조적 불규칙성과 선택규칙(k=0)의 파괴에 기인한 것으로 해석된다. MgO의 경우에는 10mol%에서 단사정에서 입방정으로 상전이가 발생하였다. MgO-ZrO2-Al2O3계에서는 Al2O3의 첨가에 의해 입방정$\longrightarrow$단사정의 상전이가 발생하는데 이것은 MgO와 Al2O3의 반응에 의해 spinel(MgAl2O4)의 형성으로 인하여 MgO가 충분히 안정화제로서의 역할을 하지 못하기 때문으로 판단된다. 또한, 안정화제의 종류와 첨가량 변화에 따른 ZrO2의 상전이를 ZrO2의 격자상수값의 변화와 관련하여 설명할 수 있는데, 즉, 안정화제의 첨가량이 증가할수록 격자상수 a값은 증가하고 c값은 감소하여 10~13mol%사이에서는 c/a의 축비가 1에 근접하고, 따라서 정방정$\longrightarrow$입방정의 상전이가 진행됨을 알 수 있었다.

• ETRI Journal
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• 제37권6호
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• pp.1135-1142
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• 2015

Multilayered ZnO-$SnO_2$ heterostructure thin films consisting of ZnO and $SnO_2$ layers are produced by alternating the pulsed laser ablation of ZnO and $SnO_2$ targets, and their structural and field-effect electronic transport properties are investigated as a function of the thickness of the ZnO and $SnO_2$ layers. The performance parameters of amorphous multilayered ZnO-$SnO_2$ heterostructure thin-film transistors (TFTs) are highly dependent on the thickness of the ZnO and $SnO_2$ layers. A highest electron mobility of $43cm^2/V{\cdot}s$, a low subthreshold swing of a 0.22 V/dec, a threshold voltage of 1 V, and a high drain current on-to-off ratio of $10^{10}$ are obtained for the amorphous multilayered ZnO(1.5nm)-$SnO_2$(1.5 nm) heterostructure TFTs, which is adequate for the operation of next-generation microelectronic devices. These results are presumed to be due to the unique electronic structure of amorphous multilayered ZnO-$SnO_2$ heterostructure film consisting of ZnO, $SnO_2$, and ZnO-$SnO_2$ interface layers.

• 한국안광학회지
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• 제5권1호
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• pp.49-53
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• 2000

Sodium borate silicate 유리는 $10Na_2O-39B_2O_3-50SiO_2-CoO$ mol%와 $20Na_2O-14B_2O_3-65SiO_2-CoO$ mol%의 조성비로 혼합한 후 전기로에서 $1210^{\circ}C$ 온도로 2시간 동안 용융하여 공기 중에서 급냉 시켜 제작하였다. 급냉한 유리의 유전적 거동을 조사하기 위하여 온도와 주파수 함수로 유전상수와 비저항을 측정하였다. 유전율 스펙트럼에서 유리전이온도는 $Na_2O$ 20 mol%시료가 낮아졌으며 $Na_2O$ 함량이 증가함에 따라 유전상수는 크게 나타났다. 유리의 비저항 주파수 의존성은 non-Debye형 완화를 보였다.

• 대한화학회지
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• 제17권3호
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• pp.169-173
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• 1973

세자리 schiff base리간드로서 salicylidene amino-o-hydroxy benzene 은 salicylaldehyde와 o-amino phenol로서 합성하였으며 이 세자리 schiff base 리간드와 Mo(VI), Mo(V), Mo(IV) 및 Mo(III) 의 과산화상태의 몰리브덴 착물들의 반응으로 새로운 착물[Mo O$_2(H_2O)\;(C_{13}H_9O_2N)]$, [MoO Cl(H$_2O)(C_13H_9O_2N)]$, $[Mo(SCN)_2(H_2O)(C_{13}H_9O2_N)]$ 및 $[Mo(H_2O)_2 (C_{13}H_9O_2N)]_2O$들을 얻었다. 이들 착물에서 Mo(VI), Mo(V) 및 Mo(IV)착물들은 리간드와 몰리브덴의 mole비가 1:1인 착물로서 몰리브덴 이온은 6배위 팔면체로서 주어지나 Mo(III) 착물은 Mo-O-Mo의 산소 bridge bond를 갖는 poly nuclear 착물로서 mole비 1:1인 착물로 주어짐을 원소분석치와 자외선흡광도 및 적외선 spectra의 고찰로서 알아보았다.

• 한국재료학회지
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• 제2권5호
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• pp.330-336
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• 1992

질화규소 소재로 S${i_3}{N_4}$-8%${Y_2}{O_3}$, S${i_3}{N_4}$-6% ${Y_2}{O_3}$-2% $A{l_2}{O_3}$, S${i_3}{N_4}$-4% ${Y_2}{O_3}$-3% $A{l_2}{O_3}$, 그리고 S${i_3}{N_4}$-1% MgO-1% Si$O_2$의 4가지 조성을 선정하여 주상모양의 ${\beta}$-S${i_3}{N_4}$결정상을 성장시켰으며, XRD, SEM, 입도분석과 기계적 특성을 조사하였다. S${i_3}{N_4}$-8% ${Y_2}{O_3}$에서는 파괴인성값을 9.8MPa$m^{1/2}$까지 얻었으며 200$0^{\circ}C$에서 열처리한 후에도 파괴강도(>900MPa)의 감소없이 파괴인성이 8.0MPa$m^{1/2}$이상인 S${i_3}{N_4}$-6% ${Y_2}{O_3}$-2% ${l_2}{O_3}$, 와 S${i_3}{N_4}$-4% ${Y_2}{O_3}$-3% $A{A_2}{O_3}$를 얻었다. 질화규소의 파괴인성이 ${\beta}$-S${i_3}{N_4}$-결정상 크기의 증가에 따라 직선적으로 증가하는 관계를 갖는 파괴인성에 대한 미세구조의 영향을 고찰하였다.

• Journal of Welding and Joining
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• 제21권2호
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• pp.35-41
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• 2003

Sintered alumina ceramics were joined by 2 kinds of SiO$_2$-CaO-A1$_2$O$_3$ glass solders having a similar expansivity as alumina. Wetting of glass/alumina was examined by sessile drop method. The observation of interface and bending strength related to alumina/glass/alumina systems were investigated by means of SEM/EDX and 4-point bending test. the result are summarized as follow: (1) Wetting of glass solders on alumina was good at temperatures higher than 145$0^{\circ}C$. (2) When the joining temperature wan high, diffusion and/or reactions between solder md alumina took place at the interface. These diffusions and reactions occurring at the interface greatly affected the bending strength of joining body. (3) Highest strength corresponding to 80% that of alumina was obtained by the solder of 35SiO$_2$-35CaO-30A1$_2$O$_3$(wt%) glass.

• 한국재료학회지
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• 제18권7호
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• pp.389-393
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• 2008

Nano-sized $TiO_2$-60 wt% SrO composite powders were synthesized by a sol-gel method using titanium isopropoxide and $Sr(OH)_2\;{\cdot}\;8H_2O$ as precursors. 3, -5, -7 wt%Ag spot-coated $TiO_2$-60 wt% SrO composite powders were synthesized by a Ag electroless deposition method using $TiO_2$-60 wt% SrO composite powders calcined at $1050^{\circ}C$, which mainly exhibited the $SrTiO_3$phase. However, a small number of rutile $TiO_2$, $Sr_2TiO_4$ and $SrO_2$ phases were also detected. In the Ag spot-coated powders synthesized by electroless deposition, nano-sized particles about 5-25 nm in diameter adhered to the $TiO_2$-60 wt% SrO composite powders. The photocatalytic activity of Ag spot-coated $TiO_2$-SrO and $TiO_2$-SrO composite powders for degradation of phenol showed that all of $TiO_2$-SrO composite powders were highly active under UV light irradiation. 7 wt%Ag spot-coated $TiO_2$-60wt.%SrO composite powders had a relatively higher photocatalytic activity than did $TiO_2$-SrO composite powders under visible light.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.480-483
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• 2001

Epitaxial rutile-$TiO_2$ and anatase-$TiO_2$ films were grown at $800^{\circ}C$ on $Al_2O_3$ (1102) and $LaAlO_3$ (001), respectively, using pulsed laser deposition. The formation of different phases on different substrates could be qualitatively explained by the atomic arrangements at the interfaces. We also successfully deposited epitaxial rutile-$TiO_2$ and anatase-$TiO_2$ films on conductive $RuO_2$ and $La_{0.5}Sr_{0.5}CoO_{3}$ electrodes, respectively. Using a Kelvin probe, we measured the photovoltaic properties of these multilayer structures. A rutile-$TiO_2$ film grown on $RuO_2$ showed a very broad peak in the visible light region. An epitaxial anatase-$TiO_2$ film grown on $La_{0.5}Sr_{0.5}CoO_{3}$ showed a strong peak with a threshold energy of 3.05 eV.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.480-483
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• 2001

Epitaxial rutile-TiO$_2$ and anatase-TiO$_2$ films were grown at 80$0^{\circ}C$ on $Al_2$O$_3$ (1102) and LaAlO$_3$ (001), respectively, using pulsed laser deposition. The formation of different phases on different substrates could be qualitatively explained by the atomic arrangements at the interfaces. We also successfully deposited epitaxial rutile-TiO$_2$ and anatase-TiO$_2$ films on conductive RuO$_2$ and La$_{0.5}$Sr$_{0.5}$CoO$_3$ electrodes, respectively Using a Kelvin probe, we measured the photovoltaic properties of these multilayer structures. A rutile-TiO$_2$ film grown on RuO$_2$ showed a very broad peak in the visible light region. An epitaxial anatase-TiO$_2$ film grown on La$_{0.5}$Sr$_{0.5}$CoO$_3$ showed a strong peak with a threshold energy of 3.05 eV 3.05 eV