본 연구에서는 Ag-에폭시계 도전성접착제와 Sn도금 부품의 접합체를 이용하여 고온 고습 분위기($85^{\circ}C$/85%RH) 중에서의 미세조직과 전기저항의 변화를 중심으로 계면열화에 미치는 Cl의 영향을 검토하였다. $85^{\circ}C$/85%RH 분위기에서 전형적인 Cl량이 함유된 Ag-에폭시계 도전성접착제를 사용한 접합체의 전기저항은 Cl 함유량이 적은 접합제를 사용한 접합체에 비해 시간의 경과에 따라 급격히 증가하는 경향을 나타내었다. 그 원인을 밝히기 위해 미세조직을 분석한 결과, 고Cl 접합체의 경우, Sn 산화물과 Sn-Cl-O가 Sn도금/Ag-에폭시계 도전성접착제의 계면에 불균일하게 생성되어 있는 반면, 저Cl 접합체에서는 Sn-Cl-O생성이 관찰되지 않았고, Sn산화물도 비교적 적은 것을 알았다. 이러한 결과들을 통해 Ag-에폭시계 도전성접착제에 함유된 Cl이 Ag-에폭시계 도전성접착제와 Sn도금 부품 접합체의 전기적 열화를 가속시키는 원인 중의 하나임을 알았다.
제주산 궁천조생 온주밀감의 저장효과를 검토하기 위하여 저장 중 각각 $3^{circ}C$, 90%와 85% 상대습도에서 저온저장하였으며, 습도 조절이 안된 상온저장과 비교하였다. 중량감소는 저장 98일까지 각각 90% 습도에서는 3.40%, 85% 습도에서는 6.92%, 상온저장에서는 11.87%로서 습도가 높을수록 중량감소는 적었다. 그러나 90% 습도에서 저장한 감귤은 저장 98일 이후 부패율이 3.87%에서 급격히 증가하여 126일에 48.75%에 이르렀다. 과육율과 가용성고형물은 저장기간 중 큰 변화를 보이지 않았다. 경도는 저장 중 계속하여 감소하였고, 특히 상온저장에서 감소가 심하였다. 산 함량과 비타민 C 변화는 호흡작용에 의해 저장기간이 경과함에 따라 계속하여 감소하였다. 상온저장에서는 저온저장에 비해 착색이 계속 진행됨을 알 수 있었다. 관능평가와 내용성분을 기준한다면 품질 유지를 위해서는 $3^{circ}C$, 85% 상대습도에서 수확후 100일 정도가 조생온주 밀감의 최적 저장기간으로 판단되었다.
Flip Chip Ball Grid Array (FCBGA) 패키지의 솔더조인트 신뢰성을 평가하기 위한 방법으로는 다이 충격법, 다이 전단법, 3점 굽힘법, 열충격법 등이 활용된다. 본 연구에서는 솔더 접합부의 주요 고장메카니즘인 취성파괴를 확인하기 위한 방법으로 리플로우 상태, $85^{\circ}C$/85%RH 처리, $150^{\circ}C$/10hr 에이징의 처리한 후, 4가지 평가법으로 평가를 진행하여 파단모드를 분석하였다. 본 연구결과에서는 다이 충격법과 다이 전단법의 Good joint rate (GJR, %)는 리플로우 상태와 $85^{\circ}C$/85%RH처리에서 각각 89~91%와 100% 였으며, $150^{\circ}C$/10hr 에이징에서는 66%와 90%를 나타내었다. 3점 굽힘법과 열충격법의 GJR(%)는 3종류 샘플에서 모두 100%를 나타내어 변별력이 없었다. C4 솔더접합부의 신뢰성 평가법에 따른 GJR(%)의 변별력을 확인할 수 있는 방법은 die shock 과 die shear test였다.
양파의 저장조건을 저온(2-4$^{\circ}C$, 80% RH), 움식(3-15$^{\circ}C$, 75-85% RH), 실온방열(10-23$^{\circ}C$, 75-98% RH) 및 상온(2-$25^{\circ}C$, 62-72% RH)으로 구분하여 저장 중 물리적 및 화학적 변화를 조사하였다. 저장 중 양파의 발아율은 저온 저장된 양파를 제외하고는 모두 높게 나타났으며, 저온 저장된 양파에서는 저장 11개월까지 거의 발아되지 않았다. 양파의 부패율은 실온방열 저장된 양파를 제외하고는 7개월까지 낮았으나 7개월 이후에는 모두 급격히 부패되었다. 중량감소는 기간이 경과함에 따라 계속되었으며, 저온 저장된 양파에서 가장 적게 일어났다 수분함량은 저온 및 움식 저장된 양파에서 증가하였으나 실온방열 및 상온에서 저장된 양파에서는 감소하였다. 전당과 환원당의 함량은 시간의 경과와 함께 완만하게 감소하였다. Vitamin C는 저장 중 큰 변화가 없었으나 저온 저장된 양파의 경우에는 다소 증가하였다.
On purpose to reduce accumulated moisture and to prevent moisture condensation in a light-frame wall, thermal characteristics and moisture behaviors were investigated for four different wall assemblies; a) typical wall, b) addition of vapor retarder between the insulation and the gypsum board, c) addition of air gap for natural ventilation behind the siding, d) composition with b) and c). Each wall was tested under two climate conditions; 1) $20^{\circ}C$, 50% RH (indoor) and $30^{\circ}C$, 85% RH (outdoor), 2) $30^{\circ}C$, 85% RH (indoor) and $20^{\circ}C$, 50% RH (outdoor).The results showed that the typical wall assembly had poor resistance against moisture intrusion from the inside of building. Outdoor and indoor humidity caused the moisture condensations on the inside of the siding and the back surface of the sheathing respectively. The addition of a vapor retarder did not give significant improvement in preventing the moisture intrusion.
접목 후 활착환경의 관리는 접목의 성공여부를 결정하는 중요한 요인이다. 일반적으로 활착초기 접목부위의 캘러스 분화를 촉진하고 식물체의 지나친 위조를 막기 위해 $25{\sim}30^{\circ}C$ 정도 온도와 90% 이상의 높음상대습도 조건하에서 관리하다가 활착이 진행됨에 따라 점차 온도 및 상대습도를 낮추고, 광 조사량을 늘려주는 환경관리방법이 제시되고 있다(Kim 등, 2001). 본 연구에서는 고추 접목묘의 활착 및 생육향상을 위한 활착단계별 환경조건을 제시하고자, 활착기간 중 온도, 상대습도 및 광 조건이 접목활착률 및 생육에 미치는 영향을 조사하였다. 암조건 하에서 총 6일간의 접목활착기간을 3단계로 나누어, 활착 1단계는 온도 $30^{\circ}C$, 상대습도 95% 조건하에서, 활착 2, 3단계에서는 온도($20^{\circ}C$, $25^{\circ}C$, 및 $30^{\circ}C$) 및 상대습도(75%, 85%, 및 95%) 조건을 달리 처리하였을 때, 접목활착률 및 생육을 조사하였다. 고추 접목묘의 활착을 위해서는 활착 초기 $30^{\circ}C$, 95% 상대습도 조건에서 2일정도 관리한 후, 이후 4일간은 온도와 상대습도 조건을 각각 $20{\sim}25^{\circ}C$, 75~85% 정도로 낮추어 주는 것이 바람직할 것으로 판단된다. 또한 접목활착기간 동안 온도 $30^{\circ}C$, 상대습도 85% 및 암 조건을 대조구로 하여, 활착기간 중 온도($25^{\circ}C$ 및 $30^{\circ}C$), 상대습도(65%, 75%, 및 85%) 및 광 조건(광 조사 유무, 광 조건 $45{\pm}2{\mu}mol{\cdot}m^{-2}{\cdot}s^{-1}$)을 달리하여 처리하였 때, 접목 활착률은 처리간 차이가 없었으며 활착기간 중 저온 저습의 광조사 기간이 길수록 생육이 증가하는 경향을 보여, $25^{\circ}C$ 온도조건하에서 저광 조사 및 65% 까지의 저습 조건이 고추 접목묘의 활착 및 생육촉진에 효과적인 것으로 판단된다.
By the trends of electronic package to be more integrative, the fine Cu trace pitch of organic PCB is required to be a robust design. In this study, the short circuit failure mechanism of PCB with a Cl element under the Temperature humidity bias test ($85^{\circ}C$/85%RH/3.5V) was examined by micro-structural study. A focused ion beam (FIB) and an electron probe micro analysis (EPMA) were used to polish the cross sections to reveal details of the microstructure of the failure mode. It is found that $CuCl_x$ were formed and grown on Cu trace during the $170^{\circ}C$/3hrs and that $CuCl_x$ was decomposed into Cu dendrite and $Cl_2$ gas during the $85^{\circ}C$/85%RH/3.5V. It is suggested that Cu dendrites formed on Cu trace lead to a short circuit failure between a pair of Cu traces.
This paper reports the optical characteristics of TeS$_{5}$ Ge$_{5}$ thin film. In phase diagram, TeS$_{5}$ Ge$_{5}$ has the eutetic point with the loweat melting point. Therfore, TeS$_{5}$ Ge$_{5}$ thin film will be melted by Diode Laser with low energy. TeS$_{5}$ Ge$_{5}$ thin films start to change the phase from amorphous to crystalline near 10$0^{\circ}C$, but perfectly change the phase at 28$0^{\circ}C$. As-deposit TeS$_{5}$ Ge$_{5}$ thin film start to change the phase to crystalline in enviroment og 66$^{\circ}C$ 80%RH.circ}C$ 80%RH.
Br, 21을 공시하여 급건엽이 발생하는 환경조건을 구명하기 위하여 온습도를 시험 I과 II로 구분하여 시험 I은 주간의 온습도를 달리하고 야간은 휴건하였으며, 시험 II는 황변 이후에 주야간 동일한 온습도를 건조상 내에서 각기 달리 조사하여 처리하였던 바 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 급건엽발생은 고온 저습에 의해 과도한 탈수로 발생되었다. 2. 야간은 휴건하고 주간은 습도 75~80%일 때35$^{\circ}C$ 이하에서는 급건엽이 거의 기생되지 않았다. 3. 주야간 온습도가 일정할 경우 3$0^{\circ}C$는 75~80%, 35$^{\circ}C$는 80~85%, 4$0^{\circ}C$는 85~90%로 온도가 상승할수록 습도를 더 높여야 급건엽이 발생되지 않았다. 4. 급건엽발생이 많을 수록 물리성이 불량하였고, 내용성분이 충분히 분해되지 않았다.
고분자 전해질의 화학구조가 감습특성에 미치는 효과를 조사하기 위하여 $C_{1}\sim C_{12}$의 알킬,benzy1, 2,2-diethoxy dthy1기가 치환된 메타크릴계 4차 암모늄 단량체들을 합성하였다. 이들의 감습용액을 0.15mm간격의 빗살 모양의 금전극이 인쇄된 알루미나 기판에 마이크로 주사기로 도포하여 광중합 후 상대습도에 따른 임피던스 변화를 측정하였다. 도포된 막의 두께가 증가하면 임피던스는 감소하고, 치환기의 탄소 길이가 증가할수록 임피던스는 증가하였다. $C_6\sim C_8$의 알킬기를 가지는 고분자 전해질의 감습특성은 30-90% RH 범위에서 18M$\Omega$-5K$\Omega$의 직선적인 임피던스 변화를 보였다. 또한 임피던스는 온도 의존성을 보여주며 온도가 증가하면 임피던스가 감소하며 온도 의존성 계수는 -0,45% $RH/^{\circ}C$이다. 히스테리시스는 $\pm$2%RH이내이며, 33%-85% RH 사이에서의 응답 속도는 약 35sec이었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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