• 한국광물학회지
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• 제2권1호
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• pp.8-10
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• 1989

Sphene from the McDonald pegmatite near Bancroft, Ontario, Canada was analyzed using EPMA. It contains 4.3 to 6.3 weight percent of Nb2O5 with an average formula Ca1.02(Ti0.62Al0.22Nb0.07Fe0.06Ta0.01)Si0.99(O4.85F0.16). Three types of subtitutions are possible; 1)2Ti4+=(Nb, Ta)5+ + (Al, Fe3+), 2) Ti + O = (Al, Fe3+) + (F, OH), and 3) 2Ti + O = Fe2+ + (Nb, Ta)5+ + (F, OH). T재 different schemes of substitutions for balancing the analysis are considered when the iron is either all ferric or all ferrous. Assuming stoichiometry fo Ca and Si, a general formula derived from the two different schemes is Ca(Ti0.64Al0.22Fe3+0.06-X {{{{Fe_{x}^{2+} }} Nb0.01)Sio4.80-XF0.16(OH)0.04+x.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권11호
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• pp.1025-1028
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• 2006

Dense $0.95(Na_{0.5}K_{0.5})NbO_3-0.05LiTaO_3$ (NKN-5LT) ceramics were developed by conventional sintering process. Sintering temperature was lowered by adding $Na_2CO_3$ as a sintering aid. The electrical properties of NKN-5LT ceramics were investigated as a function of $Na_2CO_3$ concentration. When the sample sintered at $1000^{\circ}C$ for 4 h with the addition of 1 mol% $Na_2CO_3$, electro-mechanical coupling factor $(k_p)$ and piezoelectric coefficient $(d_{33})$ of NKN-5LT ceramics were found to reach the highest values of 0.43 and 190 pC/N, respectively.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.159-160
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• 2012

지난 30년 동안 플래시 메모리의 주류 역할을 하였던 부유 게이트 플래시 메모리는 40 nm 기술 노드 이하에서 셀간 간섭, 터널 산화막의 누설전류 등에 의한 오동작으로 기술적 한계를 맞게 되었다. 또한 기존의 비휘발성 메모리는 동작 시 높은 전압을 요구하므로 전력소비 측면에서도 취약한 단점이 있다. 그러나 이러한 문제점들을 기존의 Si기반의 소자기술이 아닌 새로운 재료나 공정을 통해서 해결하려는 연구가 최근 활발하게 진행되고 있다. 특히, 플래시 메모리의 중요한 구성요소의 하나인 터널 산화막은 메모리 소자의 크기가 줄어듦에 따라서 SiO2단층 구조로서는 7 nm 이하에서 stress induced leakage current (SILC), 직접 터널링 전류의 증가와 같은 많은 문제점들이 발생한다. 한편, 기존의 부유 게이트 타입의 메모리를 대신할 것으로 기대되는 전하 포획형 메모리는 쓰기/지우기 속도를 향상시킬 수 있으며 소자의 축소화에도 셀간 간섭이 일어나지 않으므로 부유 게이트 플래시 메모리를 대체할 수 있는 기술로 주목받고 있다. 특히, TBM (tunnel barrier engineered memory) 소자는 유전율이 큰 절연막을 적층하여 전계에 대한 터널 산화막의 민감도를 증가시키고, 적층된 물리적 두께의 증가에 의해 메모리의 데이터 유지 특성을 크게 개선시킬 수 있는 기술로 관심이 증가하고 있다. 본 연구에서는 Si3N4/Ta2O5를 적층시킨 staggered구조의 tunnel barrier를 제안하였고, Si기판 위에 tunnel layer로 Si3N4를 Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) 방법과 Ta2O5를 RF Sputtering 방법으로 각각 3/3 nm 증착한 후 e-beam evaporation을 이용하여 게이트 전극으로 Al을 150 nm 증착하여 MIS- capacitor구조의 메모리 소자를 제작하여 동작 특성을 평가하였다. 또한, Si3N4/Ta2O5 staggered tunnel barrier 형성 후의 후속 열처리에 따른 전기적 특성의 개선효과를 확인하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1993년도 추계 학술발표 강연 및 논문 개요집
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• pp.115.2-115
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• 1993

• 한국신뢰성학회지:신뢰성응용연구
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• 제16권1호
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• pp.1-6
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• 2016

Purpose: Fluorine doped tin oxide (FTO) bottom electrode for $Ta_2O_5$ based RRAM was studied to apply for transparent resistive switching memory devices owing to its superior transparency, good conductivity and chemical stability. Methods: $ITO/Ta_2O_5/FTO$ (ITF) and $ITO/Ta_2O_5/Pt$ (ITP) devices were fabricated on glass and Si substrate, respectively. UV-visible (UV-VIS) spectroscopy was used to examine transparency of the ITF device and its band gap energy was determined by conventional Tauc plot. Electrical properties, such as electroforming and voltage-induced RS characteristics were measured and compared. Results: The device with an FTO bottom electrode showed good transparency (>80%), low forming voltage (~-2.5V), and reliable bipolar RS behavior. Whereas, the one with Pt electrode showed both bipolar and unipolar RS behaviors unstably with large forming voltage (~-6.5V). Conclusion: Transparent and conducting FTO can successfully realize a transparent RRAM device. It is concluded that FTO electrode may form a stable interface with $Ta_2O_5$ switching layer and plays as oxygen ion reservoir to supply oxygen vacancies, which eventually facilitates a stable operation of RRAM device.

• 한국자기학회지
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• 제13권5호
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• pp.204-210
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• 2003

강유전체 물질인 LiNbO$_3$ 및 LiTaO$_3$ 단결정 내에 불순물로 첨가되어 있는 상자성 전이원소인 Cr$^{3+}$ , $Mn^{2+}$, Fe$^{3+}$ 이온에 관한 전자 자기공명 연구를 하였다. 이들 두 단결정 내에 들어있는 불순물 이온에 대하여 중첩모델을 써서 계산한 영자기장 갈라지기 상수의 값을 실험에서 얻은 영자기장 갈라지기 값 및 기존에 보고된 많은 연구 논문과 비교 분석하여 상자성 불순물이 결정 내의 어느 자리를 치환하고 들어가는지를 연구하였다. LiNbO$_3$ 단결정 내의 Cr$^{3+}$ 이온이 불순물로 들어 갈 경우에는 두 가지 공명 중심이 가능하며, Li$^{+}$ 및 Nb$^{5+}$이온 자리를 각각 치환하고 들어간다. 또한 LiNbO$_3$ 결정 내의 $Mn^{2+}$ 및 Fe$^{3+}$ 이온의 경우에는 두 이온 모두 Nb$^{5+}$ 이온 자리를 치환하고 들어간다. LiTaO$_3$ 단결정 내에 불순물로 들어가 있는 Cr$^{3+}$ 및 Fe$^{3+}$ 이온은 모두 Li$^{+}$ 이온 자리를 치환하고있는 것으로 나타났다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2001년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.94-94
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• 2001

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2000년도 추계총회,초청강연,특별강연,연구발표회
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• pp.195.1-195
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• 2000

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1993년도 춘계학술발표회
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• pp.132-132
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• 1993

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.157-159
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• 2005

MOS capacitors were fabricated to study electrical and chemical properties of Ta-Mo metal alloy with $ZrO_2$. The work function of Ta-Mo alloy were varied from 4.1eV to 5.1eV by controlling the composition. When the atomic composition of Mo is 10%, good thermal stability up to $800^{\circ}C$ was observed and work function of MOS capacitor was 4.1eV, compatible for NMOS application. But pure Ta exhibited very poor thermal stability. After $600^{\circ}C$ annealing, equivalent oxide thickness of tantalum gate MOS capacitor was continuously decreased. Barrier heights of Ta-Mo alloy and pure metal that supported the work function values were calculated from Fowler-Nordheim analysis. As a result of these electrical?experiments, Ta-Mo metal alloy with $ZrO_2$ is excellent gate electrode for NMOS.