• 충청수학회지
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• 제7권1호
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• pp.33-39
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• 1994

The purpose of this paper prove the following property; Suppose A has many units (local global ring) and |A/m| > 5 for every maximal ideal $m{\subseteq}A$. Let(E, q) ${\in}$ Q(A) and $E=E_1{\bot}{\cdots}{\bot}E_t$ be an orthogonl decomposition of E with $t{\geq}2$ and $rk(E_i){\geq}1$, for $i=1,{\cdots},t$. Let $x{\in}E$ be a primitive vector. Then there exists ${\sigma}{\in}O(q)$ such that ${\sigma}(x)$ is transversal to this decomposition.

• 정보처리학회논문지D
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• 제13D권3호
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• pp.415-424
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• 2006

CMM/CMMI를 이용하여 프로세스를 정립하고 더 나은 프로세스로 개선하려는 조직이 국내외적으로 많이 늘고 있다. 그러나 SEI에서 제시하는 CMMI와 IDEAL은 각각 프로세스 성숙도와 개선에 초침을 맞춰 우수 프랙티스(Best Practice)들을 나열하고 권고하고 있지만, 구체적인 구현방법이나 도구들에 대해서는 다루고 있지 않다. 이에 본 논문에서는 6시그마의 프로세스 개선 방법인 DMAIC 과정과 여기서 사용되는 다양한 도구 및 통계적 방법들을 프로세스 개선영역 식별과 문제도출 및 문제우선순위 파악에 적용하는 방법을 제시하였다. 제시된 방법은 프로세스의 내용에 대해서는 CMMI를 기반으로 하며 개선의 기법으로서는 6시그마를 이용함으로써, CMMI를 기반으로 프로세스의 구현을 시작하려는 조직이나, 구체적인 개선 방법이 필요한 조직, 체계적인 개선사항의 식별 및 정량적 개선결과의 파악이 필요한 조직에서 활용될 수 있다.

• 한국통신학회논문지
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• 제26권11A호
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• pp.1812-1819
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• 2001

본 논문에서는 OSR=25에서 1 [MHz] 신호 대역폭, 12-비트 해상도를 만족하는 SOSOC $\Sigma$-Δ길 변조기 설계를 위하여 아날로그 비이상성 허용범위를 조사하였다. 공급전압 3.3 [V]에서 사양을 만족하는 $\Sigma$-Δ 변조기 설계를 위하여 우선 저전압에 적합한 SOSOC $\Sigma$-Δ 변조기 모델과 이득계수를 구하였다. 그리고 아날로그 비이상성인 증폭기 유한한 이득, SR, 폐루프 극점, 스위치 ON 저항 그리고 캐패시터 부정합과 같은 $\Sigma$-Δ 변조기의 성능 저하 요인들을 이상적인 $\Sigma$-Δ 변조기 모델에 첨가하여 $\Sigma$-Δ 변조기의 성능 예측과 비 이상성의 허용범위를 규정하였다. 이를 토대로 사양을 만족하는 $\Sigma$-Δ 변조기 설계 시 $\Sigma$-Δ 변조기를 구성하는 회로의 사양에 대한 지침과 $\Sigma$-Δ 변조기의 성능을 예측 할 수 있다.

• 산업경영시스템학회지
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• 제45권1호
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• pp.31-40
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• 2022

Six Sigma is a philosophy and systematic methodology for quality improvement. It encourages continuous quality improvement efforts to achieve the ideal goal of 6σ. Sigma(σ) is a statistic representing the standard deviation of the normal distribution, and 6σ level means a level where the tolerance of the specification is six times the standard deviation of the process distribution. In terms of the defective rate, the 6σ level achieves the 0.002 defectives per one million units. However, in the field, the 6σ level is used in the sense of achieving 3.4 defects per one million opportunities, which shows a large gap from the 6σ level in the statistical viewpoint. This is because field practitioners accept a 1.5σ shift of the mean of process when calculating the defective rate under sigma level. It said that the acceptance of 1.5σ shift of the mean is from experience, but there is no research or theoretical explanation to support it logically. Although it is a non-scientific explanation based on experience, considering that there has been no objection to the 1.5σ shift for a long time and it is rather accepted, it is judged that there is a reasonable basis for the 1.5σ shift. Therefore, this study tries to find a reasonable explanation through detective power of control chart via the run-rules to the 1.5σ shift empirically recognized by practitioners.

• 한국결정성장학회:학술대회논문집
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• 한국결정성장학회 1999년도 PROCEEDINGS OF 99 INTERNATIONAL CONFERENCE OF THE KACG AND 6TH KOREA·JAPAN EMG SYMPOSIUM (ELECTRONIC MATERIALS GROWTH SYMPOSIUM), HANYANG UNIVERSITY, SEOUL, 06월 09일 JUNE 1999
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• pp.45-49
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• 1999

When concentration of vacancies in a CZ silicon crystal is defined by molar fraction XB, the degree of super-saturation $\sigma$ is given by [XB-XBS]/XBS=XB/XBS-1=ln (XB/XBS) because XB/XBS is nearly equal to unity. Here, XBS is the saturated concentration of vacancies in a silicon crystal and XB is a little larger than XBS. According to Bragg-Williams approximation, the chemical potential of the vacancies in the crystal is given by ${\mu}$B=${\mu}$0+RT ln XB+RT ln ${\gamma}$, where R is the gas constant, T is temperature, ${\mu}$0 is an ideal chemical potential of the vacancies and ${\gamma}$ is an adjustable parameter similar to the activity of solute in a solution. Thus, $\sigma$(T) is equal to (${\mu}$B-${\mu}$BS)/RT. Driving force of nucleation of the vacancy agglomeration will be proportional to the chemical potential difference (${\mu}$B-${\mu}$BS) or $\sigma$(T), while growth of the vacancy agglomeration is proportional to diffusion of the vacancies and grad ${\mu}$B.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권3호
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• pp.286-288
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• 1999

When concentration of vacancies in a CZ silicon crystal is defined by molar fraction $X_{B}$, the degree for supersaturation $\sigma$ is given by $[X_{B}-X_{BS}]/X_{BS}=X_{B}/X_{BS}-1=ln(X_{B}/X_{BS})$ because $X_{B}/X_{BS}$ is nearly equal to unity. Here, $X_{BS}$ is the saturated concentration of vacancies in a silicon crystal and $X_{B}$ is a little larger than $X_{BS}$. According to Bragg-Williams approximation, the chemical potential of the vacancies in the crystal is given by ${\mu}_{B}={\mu}^{0}+RT$ ln $X_{B}+RT$ ln ${\gamma}$, where R is the gas constant, T is temperature, ${\mu}^{0}$ is an ideal chemical potential of the vacancies and ${\gamma}$ is and adjustable parameter similar to the activity of solute in a solute in a solution. Thus, ${\sigma}(T)$ is equal to $({\mu}_{B}-{\mu}_{BS})/RT$. Driving force of nucleation for the vacancy agglomeration will be proportional to the chemical potentialdifference $({\mu}_{B}-{\mu}_{BS})/RT$ or ${\sigma}(T)$, while growth of the vacancy agglomeration is proportaional to diffusion of the vacancies and grad ${\mu}_{B}$.

• 충청수학회지
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• 제19권4호
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• pp.319-324
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• 2006

Let K be a finite cyclic extension of $k=\mathbb{F}_q(T)$ of prime degree ${\ell}$. Let ${\tilde{\mathcal{C}}}l_{K,{\ell}}$ be the Sylow ${\ell}$-subgroup of the ideal class group ${\tilde{\mathcal{C}}}l_K$ of $\mathcal{O}_K$. The structure of ${\tilde{\mathcal{C}}}l_{K,{\ell}}$ as $\mathbb{Z}_{\ell}[G]$/<$N_G$>-module is determined the dimensions $${\lambda}_i\;:=dim_{\mathbb{F}_{\ell}}({\tilde{\mathcal{C}}}l_{K,{\ell}}^{({\sigma}-1)^{i-1}}/{\tilde{\mathcal{C}}}l_{K,{\ell}}^{({\sigma}-1)^i})$$ for $i{\geq}1$. In this paper we investigate the dimensions ${\lambda}_1$ and ${\lambda}_2$.

• 대한수학회지
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• 제56권5호
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• pp.1387-1401
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• 2019

Consider a finite measure space (${\Omega}$, ${\Sigma}$, ${\mu}$) and a Banach space $X({\mu})$ consisting of (equivalence classes of) real measurable functions defined on ${\Omega}$ such that $f{\chi}_A{\in}X({\mu})$ and ${\parallel}f{\chi}_A{\parallel}{\leq}{\parallel}f{\parallel}$, ${\forall}f{\in}({\mu})$, $A{\in}{\Sigma}$. We prove that if it satisfies the subsequence property, then it is an ideal of measurable functions and has an equivalent norm under which it is a Banach function space. As an application we characterize norms that are equivalent to a Banach function space norm.

• Journal of the Korean Statistical Society
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• 제8권2호
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• pp.107-109
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• 1979

Consider a linear model with n observations and k explanatory variables: (1)b $y=X\beta+u, u\simN(0,\sigma^2I_n)$. We assume that the model satisfies the ideal conditions. Consider the general linear constraints on regression coefficient vector: (2) $R\beta=r$, where R and r are known matrices of orders $q\timesk$ and q\times1$ respectively, and the rank of R is $qk+q$.

• 한국정보처리학회논문지
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• 제3권5호
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• pp.1337-1345
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• 1996

에지추출은 영상인식의 첫 단계임과 동시에 영상인식의 성능을 좌우하는 아주 중 요한 단계이다. 기존의 기울기연산자나 표면집합에 의한 에지추출과 달리 본 논문에서 는 에지의 구조적 정보를 이용한 에지추출 알고리즘을 제안하였다. 먼저 에지의 구조 적 특성인 에지의 정확한 위치, 에지의 연속성, 에지의 두께와 에지의 길이에 대한 정의를 제시하였다. 이와같은 에지의 구조적 특성을 기본으로 $3\times3$ 윈도우에서의 적합한 화소구조와 화소구조에 일치하는 이상적인 에지위치를 정의하였다. 또한 적합 한 에지구조와 이상적인 에지위치에 의한 12개의 특성 불일치 강조윈도우를 제안하 였다. 제안된 12개의 윈도우는 모든 형태의 에지를 추출할 수 있는 에지추출알고리즘에서 사용되는 윈도우로써 잡음이 많은 영상에서 일반적으로 많은 사용되고 있는 기울기 연산자나 0점교차 연산자인 LoG 연산자 보다 놓은 에지추출 성능을 보여 주었다. 특 히, 잡음의 표준편차$(\sigma=30)$가 30인 잡음이 아주 많은 영상에서 더 좋은 성능을 보여 주었다.