We fabricated a resistive SFCL having a shunt resistor parallel to it in order to bifurcate the transient current at faults. The SFCL consists of a YBCO film coated with an Au layer (10 ${\omega}$ at room temperature), which is to disperse the heat generated at hot spots in the YBCO film, and the 5 ${\omega}$ shunt resistor. The minimum quench current of the SFCL was found to be 12.2 A$_{peak}$. This SFCL successfully controlled the fault current below 23 A$_{peak}$ which is otherwise to increase up to 113 A$_{peak}$. Bifurcation of the current resulted in the temperature rise of the YBCO/Au film 3 times slower than without the shunt, protecting the SFCL at high currents.
The electrochemical characteristics from various particle sizes of $Ce_{0.9}Gd_{0.1}O_{2-{\delta}}$ (CGO91) in composite cathode comprised of the samarium-strontium doped layered perovskite ($SmBa_{0.5}Sr_{0.5}Co_2O_{5+{\delta}}$) and CGO91 have been investigated for possible application as a cathode material for an intermediate temperature-operating solid oxide fuel cell (IT-SOFC). The area specific resistances (ASRs) of composite cathodes with CGO91 having smaller particle size ($0.4\sim42{\mu}m$) and SBSCO of 1 : 1 ratio (50wt% SBSCO and 50 wt% CGO91, SBSCO: 50) give the lowest ASR of $0.10{\mu}cm^2$ at $600^{\circ}C$ and $0.013{\Omega}cm^2$ at $700^{\circ}C$. However, composite cathodes with having relatively bigger CGO91 particle size show the two times higher ASR results than those of SBSCO : 50. From the 10 times thermal cycles in SBSCO : 50, the ASRs of SBSCO : 50 increased from $0.0193{\Omega}cm^2$ to $0.094{\Omega}cm^2$ at $700^{\circ}C$, however, the ASR value was maintained after 7 times of thermal cycling.
This study analyzed the structural and electrical characteristics of an iron fittings type Corrugated Stainless Steel Tubing (CSST) damaged by the Primary Current Injection Test System (PCITS). CSST consists of cladding, tube, nuts, clamp ring, flare cap, socket, and ball valve. For an evaluation of the dielectric withstand voltage, the area between the live part and non-live part of the CCST shall withstand a voltage of 220 V AC for one minute. For an evaluation of the insulation performance by 500 V DC, it is required that the insulation exceed more than $1M{\Omega}$ before the temperature rise test, $0.3M{\Omega}$ after the test. Although the average resistance of the product was $11.5m{\Omega}$, that of the product damaged at a current of 130 A by the PCITS was $11.50m{\Omega}$. Furthermore, parts of the cladding were melted and black smoke appeared when a current of 130 A applied for 10 s. After 60 s, most parts were heated and turned red. At 120 s, the parts that turned red had widened. Although it did not form a normal distribution because the P value was 0.019 with a confidential interval of 95%, it revealed outstanding characteristics with an AD (Anderson-Darling) value of 0.896 and a standard deviation of 0.5573.
The growth and size variation of rotifer (Brachionus plicatils) were examined at the various water temepratures ranging form 18 to $36^{\circ}C$, and under continuous light condition. Either Chlorella ellipsoidea or $\omega$-yeast were fed to rotifer as a food organism. Compared to large-type rotifer fed of $\omega$-yeast, those fed on C. ellipsoildea generally showed higher growth at 7th after starting culture under the water temperaure of less than $30^{\circ}C$. Above such temperature, the large-type rotifer fed on $\omega$-yeast showed higher growth rather than those fed on C. ellipsoidea and the maximum cell number reached 1,420 ind./m$\ell$ at $36^{\circ}C$, whereas when the small-type rotifer was fed on $\omega$-teast, its maximum cell number was to be 1,669 ind./m$\ell$at $34^{\circ}C$. The striking decrease in size was found in large-type rotifer which was to be $112.1\mu m$m(initial : 202.0${\mu}{\textrm}{m}$) when they were fed on C. ellipsoidea at $34^{\circ}C$ for 5 days after starting culture. A great increase in size from the initial of 157.0 to $201.3\mu m$mwas show in small-type rotifer fed on $\omega$-yeast at $20^{\circ}C$,for 5 days. The present results demonstrated that size variation of rotifer could be controlled by changing culture temperature.
This paper examined the structure, fire resistance of brass fittings type CSST employed in gas appliances and the reliability verification. Brass fittings of type CSST consisted of cladding, tubing, nut, clamp ring, socket, and ball valve. The applicable JIA standard regulates the maximum working pressure to be 4.2 kPa, which is the highest pressure of the relevant standards and the KS D 3625 stipulates the maximum pressure to be 3.24 kPa. With a normal product, the average resistance within the confidence interval was found to be $7.36m{\Omega}$. The average resistance within the confidence interval was $6.67m{\Omega}$ after the fire resistance tests. The analysis indicated that the AD was 1.584 and the standard deviation was 0.3972 with respect of a normal product. Compared to the normal product, however, the damaged product after the fire resistance test showed better features, such as an AD of 1.145 and a standard deviation of 0.2467. Moreover, the average resistance of the normal product was $7.359m{\Omega}$ and the standard deviation in histogram analysis was 0.3972. The average resistance of the damaged product after the fire resistance test in the histogram was $6.67m{\Omega}$ and the standard deviation was 0.2467.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.21
no.7
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pp.1285-1290
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2017
We prepared ITZO thin films with various thicknesses on glass substrates using RF magnetron sputtering and investigated electrical, optical and structural properties of the thin film. Sheet resistance of ITZO thin film showed a decreasing trend on the increase of film thickness, but its resistivity exhibited a substantially constant value of $5.06{\pm}1.23{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$. Transmittance of ITZO thin film moved to the long-wavelength with the increase of film thickness. Figure of merit in a visible light and an absorption area of P3HT:PCBM organic active layer of the 360nm-thick IZTO thin film was $8.21{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$ and $9.29{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$, respectively. Through XRD and AFM measurements, it was confirmed that all the ITZO thin films have amorphous structure and the surface roughness of films are very smooth in the range of 0.561 to 0.263 nm. In this study, it was found that amorphous ITZO thin film is a very promising material for organic solar cell.
This study was to calculate spot size, focus shift and optical focus by use of OSLO when 3 wavelength, ${\omega}{\upsilon}_1=0.588{\mu}$, ${\omega}{\upsilon}_2=0.486{\mu}$ and ${\omega}{\upsilon}_3=0.656{\mu}$ in composite lens optics system & ocular optical system were respectively here, Entrance Beam Radius(mm) 1 mm, Field angle(deg) 5.7296e-0.5 mm, Image Aperture 0.053055 mm, Exit Aperture 0.903711 mm, Reflective focal length 25.181544 mm, Petzval radius -19.21839 mm, n = 1.523. It was found that a range of spot size was 0.002 mm~0.07 mm when a range of back curvature radius was 1 mm~30 mm, and 0.0005 mm~0.002 mm when of it more than 50 mm. Focus shift, 50 mm a range 3 kinds of lens was small, and it saw that of all tendency was high up to 1 mm~15 mm and up to 25 mm beyond that limits, it was going down and then going up again, optical focus 100 mm lens was best and the value when optimization with this lens was $60{\pm}1mm$.
Journal of the Korean Society of Fisheries and Ocean Technology
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v.19
no.1
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pp.57-62
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1983
The galvanic anodes have three kinds of Zn alloy anode, Al alloy anode and Mg alloy anode, which are widely used in cathodic protection for all metal structures in water or under ground. This paper to be used for designing of the grounding cell has reached the following conclusion as the results of an experimental study on the characteristics of such galvanic anodes for corrosion protection of pipings: 1) Zn alloy anode was the best when the specific resistance of the environment was bellow 1000 $\Omega$.cm, and when above 1000 $\Omega$.cm, Mg alloy anode to be used for designing of the grounding cell was the best. 2) Al alloy anode was better than Mg alloy anode for grounding cell when the specific resistance was bellow 500 $\Omega$.cm, but the Al alloy anode in all the environments reduced the characteristics of galvanic anode to the lower grade than those of Zn alloy anode. 3) Each impressed voltage (E) of the anodes at which drainage current density ($\rho$) begins rapidly increasing is quantitatively presented as follows: \circled1 E sub(Zn)=log (4.9465/$\rho$super(0.0639))+11$\times$10 super(-6)$\rho$super(0.8923i) \circled2 E sub(Al)=log (4.9306/$\rho$super(0.0525))+13$\times$10 super(-6)$\rho$super(0.9314i) \circled3 E sub(Mg)= log (3.7086/$\rho$super(0.0988))+181$\times$10 super(-6)$\rho$super(0.5406i) 4) The empirical equations between the drainage current density (i) and impressed environment are modeled as the following type. logi=g+root(n.E+r)(g,n,r; constants)
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.14
no.2
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pp.297-302
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2019
In this study, we deposited ITO thin films on buffer layer of $Nb_2O_5(8nm)/SiO_2(45nm)$ using DC magnetron sputtering method and investigated its electrical and optical properties with various DC powers(100~400 W). The surface of the ITO thin film was observed by AFM. All thin films had defected free surface such as pinholes and cracks. The thin film deposited at DC power of 200 W exhibited the smallest surface roughness of 1.431nm. As a result of electrical and optical measurements, the ITO thin film deposited at DC power of 200 W which showed the lowest resistivity of $3.03{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$. The average transmittance in the visible light region(400 to 800 nm) and the transmittance at the wavelength of 550nm were found to be 85.8% and 87.1%, respectively. The chromaticity(b*) was also a relatively good value as 2.13. The figure of merit obtained from the sheet resistance of the ITO thin film, the average transmittance in the visible light region and the transmittance at the wavelength of 550nm were the best values of $2.50{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$ and $2.90{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$ at a DC power of 200W, respectively.
In this paper, we prove that if K is a convex body in $E^n$ and $E_i$ and $E_o$ are inscribed ellipsoid and circumscribed ellipsoid of K respectively with ${\alpha}E_i=E_o$, then $\[({\alpha})^{\frac{n}{p}+1}\]^n{\omega}^2_n{\geq}V(K)V({\Gamma}^{\ast}_pK){\geq}\[(\frac{1}{\alpha})^{\frac{n}{p}+1}\]^n{\omega}^2_n$. Lutwak and Zhang[6] proved that if K is a convex body, ${\omega}^2_n=V(K)V({\Gamma}_pK)$ if and only if K is an ellipsoid. Our inequality provides very elementary proof for their result and this in turn gives a lower bound of the volume product for the sets of constant width.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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