• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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• pp.718-721
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• 2004

The $(Sr_{0.9}Ca_{0.1})TiO_3$(SCT) thin films are deposited on Pt-coated electrode$(Pt/TiN/SiO_2/Si)$ using RF sputtering method at various substrate temperature. The optimum conditions of RF power and $Ar/O_2$ ratio were 140[W] and 80/20, respectively. Deposition rate of SCT thin films was about $18.75[{\AA}/min]$. The crystallinity of SCT thin films were increased with increase of substrate temperature in the temperature range of $100\sim500[^{\circ}C]$. The dielectric constant of SCT thin films were increased with the increase of substrate temperature, and changed almost linearly in temperature ranges of $-80\sim+190[^{\circ}C]$. The current-voltage characteristics of SCT thin films showed the increasing leakage current as the substrate temperature increases.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제11권3호
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• pp.209-214
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• 1990

A series of compounds consisting of 4'-oxybenzylidene-4-n-butylaniline, a mesogen, and a p-substituted phenoxyterephthaloyl structure a non-mesogen, interconnected through a central hexamethylene spacer were synthesized and their thermal behavior and liquid crystallinity were studied. p-Substituents included in this study are H, Cl, CN, $NO_2,\;n-C_4H_9O$ and phenyl groups. The compounds having phenyl and $n-C_4H_9O$ substituents are enantiotropic and form smectic-A(SA) and nematic (N) phases. The compound with $NO_2$ substituent is monotropic and forms only a nematic phase on heating the solid, whereas it forms nematic as well as $S_A$ phases on cooling the isotropic liquid. The rest compounds were found to be non-liquid crystalline. This is in great contrast to the fact that the monomesogenic model compound 4'-n-hexyloxybenzylidine-4-n-butylaniline forms $S_B,\;S_C,\;S_A$ and N phases enantiotropically.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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• 제8권4호
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• pp.15-18
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• 2006

REBCO coated conductors (RE: rare earth elements) have recently drawn great attention since they are known to possess stronger flux pinning centers in high magnetic fields compared with YBCO coated conductors. In this study, $GdBa_2Cu_3O_{7-d}(GdBCO)$ was selected to investigate the influence of the distance between target and substrate and substrate temperature on the superconducting properties of GdBCO films on the $SrTiO_3(100)$ substrate. Samples were fabricated by pulsed laser deposition (PLD) with a Nd:YAG laser (355nm). Under a given oxygen pressure of 800mTorr, we changed the distance between target and substrate from 5.5cm to 7.0cm and the substrate temperature from $750^{\circ}C\;to\;850^{\circ}C$. The crystallinity and texture of GdBCO films were analyzed by X-ray diffraction (XRD), and the surface morphology was observed by the scanning electron microscopy (SEM). Tc and Jc values were measured by the four point probe method. High quality GdBCO films with Tc of 89.7K and Jc over $1MA/cm^2$ at 77 K in self field were successfully fabricated by optimizing processing parameters. The detailed processing conditions, microstructure and superconducting properties will be presented for a discussion.

• 한국표면공학회지
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• 제57권1호
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• pp.1-7
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• 2024

The study investigated the impact of substrate pretreatment on depositing high-quality B-doped diamond (BDD) thin films using the HFCVD method. Films were deposited on Si and Nb substrates after sanding and seeding. Despite identical sanding conditions, BDD films formed faster on Nb due to even diamond seed distribution. Post-deposition, film average roughness (R_a) remained similar to substrate R_a, but higher substrate R_a led to decreased crystallinity. Nb substrate with 0.83 ㎛ R_a exhibited faster crystal growth due to dense, evenly distributed diamond seeds. BDD film on Nb with 0.83 ㎛ R_a showed a wide, stable potential window (2.8 eV) in CV results and a prominent 1332 cm^-1 diamond peak in R_aman spectroscopy, indicating high quality. The findings underscore the critical role of substrate pretreatment in achieving high-quality BDD film fabrication, crucial for applications demanding robust p-type semiconductors with superior electrical properties.

• 한국식품영양과학회지
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• 제35권3호
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• pp.366-372
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• 2006

알칼리 침지법에 의하여 박피한 밤 전분과 박피하지 않은 밤 전분의 이화학적 특성, 가열 및 알칼리에 의한 호화특성을 각각 분석한 결과는 다음과 같다. 물결합력은 박피한 A전분의 경우86.9%, 박피하지 않은 B전분은 80.66%로 박피한 A전분이 더 높은 물결합력을 나타냈다. A전분과 B전분의 팽윤력은 $60^{\circ}C$에서 급격히 증가하기 시작하여 $80^{\circ}C$까지 증가하다가 그 이후는 완만하게 변하였고, 용해도는 $60^{\circ}C$에서부터 증가하기 시작하여 온도가 상승함에 따라 점점 증가하는 특성을 보였으며, A전분이 B전분보다 팽윤력과 용해도가 더 높게 나타났다. 요오드 반응은 A전분이 B전분보다 더 높게 났다. X-선 회절도는 A전분은 $C_b$도형, B전분은 B도형으로 나타났고, 상대적 결정화도는 A전분이 36.2%, B전분은 37.0%로 B전분이 더 높게 나타났다. DSC에 의하여 측정한 호화온도 및 호화엔탈피는 A전분의 경우 $66.95^{\circ}C{\sim}77.5^{\circ}C$, 2.04 cal/g, B전분의 경우 $67.09^{\circ}C{\sim}77.5^{\circ}C$, 2.29 cal/g으로 나타났다. 6.5% 밤 전분의 아밀로그램 특성은 A전분보다 B전분이 호화개시 온도가 더 높았고, peak viscosity, break-down, setback은 A전분이 B전분보다 더 높았다. 알칼리에 의한 호화특성에서 A전분이 B전분보다 점도, gel 부피 및 광투과도가 더 높게 나타났다.

• Elastomers and Composites
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• 제36권4호
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• pp.268-277
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• 2001

PPG, PEG, trimethylolpropane(TMP) 등의 폴리올에 MDI(4,4'-diphenyl methane diisocyanate)를 각각 혼합하고 경화시켜 여러가지 물성을 측정하였다. 경화시간은 PEG와 TMP의 함량이 늘어날수록 짧게 나타났고 분자량의 효과보다는 관능기의 수에 더 큰 영향을 받았다. NCO-OH 반응은 NCO-NCO반응보다 활성적이고 빠르게 일어났다. 경도는 가교밀도와 분자구조의 영향을 받았으며 NCO-NCO 반응으로 생긴 도막은 취약하였고 NCO-OH간의 반응으로 생긴 도막은 유연하였다. 부착력은 결정화도와 수축율이 클수록 낮은 값을 나타내었으며 TMP 함량이 증량될수록 높은 값을 나타내었다. 난연성은 난연제의 종류와 함량에 영향을 받았으며 난연효과는 IXOL B-251이 가장 우수하였고 TCCP는 수지와의 상용성이 좋지 않아 부분적으로 분리되었다.

• 한국진공학회지
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• 제15권4호
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• pp.367-373
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• 2006

비스무스의 녹는점보다 3 도 낮은 온도인 $268^{\circ}C$에서 후열처리를 하여 비스무스 박막에서 자기저항의 큰 증가를 관측하였다. 레드텔러라이드 / 케드뮴텔러라이드 기판 위에서는 온도 5 K, 자기장 5T 하에서 190 에서 260으로, 마이카 기판 위에서는 620 에서 120 으로 자기저항의 큰 증가를 나타내었다. 이러한 자기저항의 큰 증가는, 열처리에 따른 결정도의 향상에 기인한 것으로 보인다. 하지만 일정 시간 이상의 오랜 시간의 열처리는 자기저항을 감소시키는 것으로 관측되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권5호
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• pp.498-502
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• 2002

Liquid Phase Epitaxy(LPE)법을 사용하여 SGGG(111) 기판 위에 $PbO/B_2O_3$를 융제로 Yttrium Iron Garnet($Y_3Fe_5O_{12}$, YIG) 후막을 성장하였다. 기판 회전속도와 과냉도 등의 성장변수가 YIG 후막의 결정성, 화학조성 그리고 성장속도에 미치는 영향에 대하여 고찰하였다. 성장온도가 860~910${\circ}C$까지 증가함에 따라 막의 FWHM 값은 감소하였고, 성장오도 910${\circ}C$, 120rpm의 시편회전속도에서 $60{\mu}m/h$ 이상의 높은 성장률을 나타내었다.

• 한국진공학회지
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• 제6권3호
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• pp.249-254
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• 1997

Fe가 첨가된 반절연성 InP(100)의 특성을 photoreflectance(R) 측정으로 조사하였다. 관측한 PR 신호로부터 300K에서 띠간격 에너지($E_o$)와 넓어지기 변수(broadening parameter:$\Gamma$)는 각각 1.336eV 및 11.2meV의 값을 얻었다. 측정온도를 300~80K로 낮춤에 따라 PR 신호는 엑시톤과 2차원의 띠사이 전이가 중첩된 형태(300K)에서 전형적인 엑시톤 에 의한 전이형태(80K)로 변함을 알았다. 또한 Varshni 계수 $\alpha=-0.94\pm$0.07meV/K, $\beta=587\pm$35.2K와 Bose-Einstein 계수 aB=33.6$\pm$2.02meV, $\theta=165\pm$33K의 값을 얻었다. 그리고 등온 및 등시 열처리를 수행한 후 측정 결과, 온도 $300^{\circ}C$에서 10~20분 정도 열처리시켰을 때 InP 시료의 결정성이 가장 좋아짐을 정성적으로 알 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제9권2호
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• pp.149-154
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• 1999

재래식과 마이크로파 열원으로 알루미나 기판을 PbO-ZnO-$B_2O_3$계 유리로 봉착하였을 때, 봉착용 유리의 결정화 거동 및 알루미나 기판과의 봉착상태를 조사하였다. 재래식 열처리된 시편에 비하여 마이크로파 열처리된 시편은 짧은 시간과 낮은 온도에서 열처리 되었음에도 불구하고 모유리 내에서 $\textrm{PbTiO}_3$ 결정이 잘 성장하였고, 높은 결정화를 보여주었다. 또한, 마이크로파 봉착 시편은 양호한 상태를 보여주었고, 봉착 곡강도는 거의 비슷하였다.