Fig. 1. HR-SEM images of the SiC surface annealed (a) without r-GO and (b) with r-GO capping layer. 그림 1. r-GO 보호 층 적용 (a) 유/ (b) 무에 대한 SiC 표면 고해상도 주사전자현미경 이미지
Fig. 2. 3-dimensional AFM images of the SiC surface annealed (a) without r-GO and (b) with r-GO capping layer. 그림 2. r-GO 보호 층 적용 (a) 유/ (b) 무에 대한 SiC 표면 3차원 원자간 힘 현미경 이미지
Fig. 3. J-V curves of Ni/4H-SiC Schottky diodes annealed with (solid circle) r-GO and without (open circle) r-GO capping layer. 그림 3. r-GO 보호 층 적용 유 (꽉찬 원형)/무 (빈 원형)에 대한 Ni/4H-SiC 쇼트키 다이오드 전류밀도-전압 특성
참고문헌
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