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0.18-㎛ CMOS 공정을 이용한 6~18 GHz 8-비트 실시간 지연 회로 설계

Design of a 6~18 GHz 8-Bit True Time Delay Using 0.18-㎛ CMOS

  • 이상훈 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) ;
  • 나윤식 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) ;
  • 이성호 (전자부품연구원 시스템반도체 연구본부) ;
  • 이성철 (전자부품연구원 시스템반도체 연구본부) ;
  • 서문교 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과)
  • Lee, Sanghoon (Department of Electronic and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Na, Yunsik (Department of Electronic and Computer Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Lee, Sungho (Korea Electronics Technology Institute) ;
  • Lee, Sung Chul (Korea Electronics Technology Institute) ;
  • Seo, Munkyo (Department of Electronic and Computer Engineering, Sungkyunkwan University)
  • 투고 : 2017.09.22
  • 심사 : 2017.10.31
  • 발행 : 2017.11.30

초록

본 논문에서는 6~18 GHz 대역 8-비트 true time delay(TTD) 회로의 설계 및 측정결과에 대하여 기술하였다. 단위 지연 회로는 상대적으로 시간 지연 변화율이 일정한 m-유도 필터(m-derived filter)를 이용하였다. 설계한 8-비트 TTD는 2개의 single-pole double-throw(SPDT)와 7개의 double-pole double-throw(DPDT) 스위치로 구현하였으며, 인덕터를 이용하여 반사 특성을 개선하였다. 설계된 8-비트 TTD는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 제작하였다. 측정된 TTD 회로의 시간 가변 범위는 250 ps이고, 시간 지연 해상도는 약 1 ps이다. 6~18 GHz의 동작 주파수에서 RMS 시간 지연 오차는 11 ps 미만이며, 입출력 반사 손실은 10 dB 이상이다. 공급 전압은 1.8 V이며, 소비 전력은 0.0 mW이다. 칩 면적은 $2.36{\times}1.04mm^2$이다.

This paper presents a 6~18 GHz 8-bit true time delay (TTD) circuit. The unit delay circuit is based on m-derived filter with relatively constant group delay. The designed 8-bit TTD is implemented with two single-pole double-throw (SPDT) switches and seven double- pole double-throw (DPDT) switches. The reflection characteristics are improved by using inductors. The designed 8-bit TTD was fabricated using $0.18{\mu}m$ CMOS. The measured delay control range was 250 ps with 1 ps of delay resolution. The measured RMS group delay error was less than 11 ps at 6~18 GHz. The measured input/output return losses are better than 10 dB. The chip consumes zero power at 1.8 V supply. The chip size is $2.36{\times}1.04mm^2$.

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참고문헌

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