Abstract
This paper proposed the ESD protection circuit for the high-voltage applications with latch-up immunity and high area efficiency. The proposed circuit has high holding voltage compared to the conventional SCR by inserting the floating regions and applying the segmentation layout. It has the area efficiency is more higher due to the segmentation layout. The proposed circuit has the higher holding voltage of the 21.67V than the 3.39V of the conventional SCR. The electrical characteristics of the proposed circuit was investigated by TCAD simulator, and was proved through the fabrication by using the 0.18 BCD process.
본 논문에서는 Latch-up 면역과 우수한 면적 효율성을 갖는 고전압용 ESD 보호회로를 제안한다. 제안된 회로는 기존의 SCR에 대하여 플로팅 영역 삽입과 세그먼트 레이아웃 기법을 적용함에 따라 매우 높은 홀딩 전압을 갖는다. 제안된 ESD 보호회로는 세그먼트 레이아웃 기법을 이용하여 높은 면적 효율을 지닌다. 제안된 소자는 일반적인 SCR의 3.39V의 홀딩 전압과 비교하여 21.67V의 높은 홀딩 전압을 가진다. 제안된 소자의 전기적 특성은 Synopsys사의 TCAD를 통해 검증하였으며, 0.18 BCD 공정을 이용한 실제 제작을 통해 증명하였다.