References
- S. J. Kim, B. J. Cho, M. F. Li, X. Yu, C. Zhu, A. Chin, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 24, 387 (2002).
- C. T. Black, K. W. Guarini, Y. Zhang, H. Kim, J. Benedict, E. Sikorski, I. V. Banich, and K. R. Milkove, IEEE Electron Device Lett., 25, 622 (2004). https://doi.org/10.1109/LED.2004.834637
- H. Hu, C. Zhu, Y. F. Lu, Y. H. Wu, T. Liew, M. F. Li, B. J. Cho, W. K. Choi, and N. Yakovlev, J. Appl. Phys., 94, 551 (2003). https://doi.org/10.1063/1.1579550
- T. Remmel, P. Ramprasad, and J. Walls, Proc. Int. Rel. Phys. Symp., 277 (2003).
- X. Yu, C. Zhu, H. Hu, A. Chin, M. F. fi, H. J. Cho, D. L. Kwong, P. D. Foo, and M. B. Yu, IEEE Electron Device Lett., 24, 63 (2003). https://doi.org/10.1109/LED.2002.808159
- T. H. Pemg, C. H. Chien, C. W. Chen, P. Lehnen, and C. Y. Chang, Thin Solid Films, 515, 526 (2006). https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.12.288
- S. B. Chen, C. H. Lai, Albert Chin, J. C. Hsieh, and J. Liu, IEEE Electron Device Lett., 23, 185 (2002). https://doi.org/10.1109/55.992833
- H. M. Kwon, I. S. Han, S. U. Park, J. D. Bok, Y. J. Jung, H. S. Shin, C. Y. Kang, B. H. Lee, R. Jammy, G. W. Lee, and H. D. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., 50, 04DD02-1 (2011). https://doi.org/10.1143/JJAP.50.04DD02
- M. Y. Yang, D. S. Yu, and A. Chin, Electrochem. Solid State Lett., 151, F162 (2004)
- H. Hu, C. Zhu, Y. F. Lu, M. F. Li, M. F. Fi. B. J. Cho, and W. K. Choi, IEEE Electron Device Lett., 23, 514 (2002). https://doi.org/10.1109/LED.2002.802602
- S. U. Park, H. K. Kwon, I. S. Han, Y. J. Jung, H. Y. Kwak, W. I. Choi, M. L. Ha, J. I. Lee, C. Y. Kang, B. H. Lee. R. Jammy, and H. D. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., 50, 10PB06 (2011). https://doi.org/10.1143/JJAP.50.10PB06
- S. H. Wu, C. K. Deng, T. H. Hou, and B. S. Chiou, Jpn. J. Appl. Phys., 49, 04DB16 (2010). https://doi.org/10.1143/JJAP.49.04DB16
- K. C. Chinag, C. H. Cheng, K. Y. Jhou, H. C. Pan, C. N. Hsiao, C. P. Chou, S. P. MeAlister, and H. L. Hwang, IEEE Electron Device Lett., 28, 694 (2007). https://doi.org/10.1109/LED.2007.900876