KIPE Magazine (전력전자학회지)

The Korean Institute of Power Electronics (전력전자학회)
권호 표지

SiC 전력반도체 기술 및 제품동향

  • Published : 2009.02.20
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

2001년 1세대 SiC 쇼트키 다이오드의 상용화는 고압 다이오드의 Zero 스위칭손실를 가능하게 하여 기존의 CCM(continuous-current mode) PFC의 효율한계를 극복 시킬수 있었다. 2005년 서지전류와 애벌런치 내량을 향상시킨 2세대 SiC 쇼트키 다이오드는 적용의 범용성을 확대 시켰다. 2009년 전력내량이 증대된 3세대 다이오드는 이상적인 다이오드의 현실화를 위해 한발 더 나아가게 하고 있다. 본고에서는 이러한 노력을 경주해온 인피니언의 SiC 전력반도체 소자의 기술 및 개발 현황을 소개한다.

Keywords

References

  1. Baliga B.J., J. Appl. Phys. 53, pp. 1759-1764, 1982 https://doi.org/10.1063/1.331646
  2. Kapels, H.; Rupp. R.; Lorenz. 1.; and Zverev. I. 'SiC Schottky Diodes: A Milestone in Hard Switching Applications,' Proc. of PCIM. 2001
  3. Zverev, I.; Kapels, H.; Rupp, R.; and Herfurth, M 'Silicon Carbide Schottky: Novel Devices Require Novel Design Rules,' Proc. of PCIM, 2002
  4. Hancock, J. Lorenz, L. 'Comparison of Circuit Design Approaches in High Frequency PFC Converters for SiC Schotty Diode and High Performance Silicon Diodes,' Proceedings of PCIM, pp. 192-200, 2001
  5. I. Zverev, M. Treu, H. Kapels, O. Hellmund, R. Rupp, J. Weiss, Proceedings of EPE Graz, 2001
  6. Bjoerk, F. Hancock, J. Treu, M.; Rupp, R. and Reimann, T. '2nd Generation 600V SiC Schottky Diodes used Merged PN/Schottky Structure for Surge Overload Protection,' Proceedings of APEC, 2006
  7. Rupp, R. Treu, M. Voss, S. Bjoerk, F.; Reimarnn, T. '2nd Generation SiC Schottky Diodes: A New Benchmark in SiC Device Ruggedness,' Proceedings of ISPSD, 2006
  8. http://www.infineon.com/see FF600R12IS4F datasheet
  9. http://www.rohm.com/news/060310.html (2006)
  10. http://global.mitsubishielectric.com/pdf/advance/vol105/08_RD1.pdf (2004)
  11. Senzaki J, Shimozato A, Okamoto M, Kojima K, Fukuda K. Okumura H, Kazuo Arai K. 'Gatearea Dependence of SiC Thermal Oxides Reliability,' Proceedings of ICSCRM, 2008
  12. Agarwal A, 'Technical challenges in commercial SiC power MOSFETs,' Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium, 2007
  13. Matocha, K. 'Challenges in SiC power MOSFET design,' Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium, 2007
  14. Treu M., Rupp R., Blaschitz P., Rschenschmidt K., Sekinger Th., Friedrichs P., Elpelt R., Peters D., 'Strategic considerations for unipolar SiC switch options: JFET vs. MOSFET,' Proceedings of IAS, 2007
  15. Rueschenschmidt K., Treu M., Rupp R., Friedrichs P., Elpelt R., Peters D., Blaschitz P., 'SiC JFET: The Currently Best Solution for an Unipolar SiC High Power Switch,' Proceedings of ICSCRM, 2007
  16. Mino, K., Herold, S., Kolar, J.W., 'A gate drive circuit for silicon carbide JFET,' Procedings of 29th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society, 2003