Abstract
In this parer, a wideband low-noise amplifier (LNA) has been realized in a 0.18mm CMOS technology for the applications of subsampling direct-conversion RF receivers. By exploiting the inverter-type transimpedance input stage with a 3rd-order Chebyshev matching network, the wideband LNA demonstrates the measured results of the -3dB bandwidth of 5.35GHz, the power gain (S21) of $12\sim18dB$, the noise figure (NF) of $6.9\sim10.8dB$, and the broadband input/output impedance matching of less than -10dB/-24dB within the bandwidth, respectively. The chip dissipates 32.4mW from a single 1.8V supply, and occupies the area of $0.56\times1.0mm^2$.
본 논문에서는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 서브샘플링 직접변환방식 RF 수신기용을 위한 광대역 저잡음 증폭기를 구현하였다. 인버터-형태의 트랜스임피던스 입력단과 3차의 Chebyshev 매칭네트워크를 사용함으로써, 제안한 광대역 저잡음 증폭기 회로는 5.35GHz의 대역폭, $12\sim18dB$의 전력이득, $6.9\sim10.8dB$의 NF, 대역폭 내에서의 -10dB 이하의 입력 임피던스 매칭과 -24dB 이하의 출력 임피던스 매칭을 얻었다. 제작한 칩은 1.8V 단일 전원전압으로 부터 32.4mW의 전력소모를 가지며, $0.56\times1.0mm^2$의 칩 사이즈를 갖는다.