마이크로전자및패키징학회지 (Journal of the Microelectronics and Packaging Society)
- 제13권4호
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- Pages.27-36
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- 2006
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- 1226-9360(pISSN)
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- 2287-7525(eISSN)
Pt와 Ir 첨가에 의한 니켈모노실리사이드의 고온 안정화
Thermal Stability Enhancement of Nickel Monosilicides by Addition of Pt and Ir
- Yoon, Ki-Jeong (Department of Materials Science and Engineering, The University of Seoul) ;
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Song, Oh-Sung
(Department of Materials Science and Engineering, The University of Seoul)
- 발행 : 2006.12.30
초록
약 10%이하의 Pt 또는 Ir 첨가시켜 니켈모노실리싸이드를 고온에서 안정화 시키는 것이 가능한지 확인하기 위해서 활성화영역을 가정한 단결정 실리콘 웨이퍼와 게이트를 상정한 폴리 실리콘 웨이퍼 전면에 Ni, Pt, Ir을 열증착기로 성막하여 10 nm-Ni/l nm-Pt/(poly)Si, 10 nm-Ni/l nm-Ir/(poly)Si 구조를 만들었다. 준비된 시편을 쾌속 열처리기를 이용하여 40초간 실리사이드화 열처리 온도를
We fabricated thermally evaporated 10 nm-Ni/(poly)Si, 10 nm-Ni/l nm-Ir/(poly)Si and 10 nm-Ni/l nm-Pt/(poly)Si films to investigate the thermal stability of nickel monosilicides at the elevated temperatures by rapid annealing them at the temperatures of