Journal of IKEEE (전기전자학회논문지)

Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers (한국전기전자학회)
권호 표지

Design of 5.8 GHz Wireless LAN Sub Harmonic Pumped Resistive Mixer

5.8GHz 무선 랜용 서브 하모닉 저항성 혼합기의 설계

  • Yoo, Hong-Gil (Dept of electronic information Eng.. Konkuk Univ.) ;
  • Kim, Wan-Sik (Dept of electronic information Eng.. Konkuk Univ.) ;
  • Kang, Jeong-Jin (Dept. of information and communication DongSeoul College) ;
  • Lee, Jong-Arc (Dept of electronic information Eng.. Konkuk Univ.)
  • 유홍길 (건국대학교 전자정보통신공학과) ;
  • 김완식 (건국대학교 전자정보통신공학과) ;
  • 강정진 (동서울대학 정보통신과) ;
  • 이종악 (건국대학교 전자정보통신공학과)
  • Published : 2004.07.01
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Abstract

In this paper, it is designed for 5.8GHz Wireless LAN sub harmonic resistive mixer. Sub harmonic resistive mixer is constituted by advantage of sub harmonic mixer and resistive mixer. Sub harmonic resistive mixers mix harmonics of LO with RF and obtain IF frequency. Therefore, it was possible to use decreasing LO frequency than conventional mixers. And, Sub harmonic resistive mixer has low IMD because of using unbiased channel resistance of GaAs FET. When LO power is 13dBm, the conversion loss of manufactured sub harmonic resistive mixer is 10.67 dB. And IIP3 of mixer is 21.5dBm.

본 논문은 5.8 GHz 무선 랜용 서브 하모닉 저항성 혼합기를 설계하였다. 서브 하모닉 저항성 혼합기는 서브 하모닉 혼합기와 저항성 혼합기의 장점이 합쳐진 구조이다. 서브 하모닉 저항성 혼합기는 LO의 고조파 성분과 RF를 혼합하여 IF주파수를 얻는다. 그래서 기존의 혼합기보다 낮은 LO 주파수를 사용이 가능하다. 그리고 서브 하모닉 저항성 혼합기는 GaAs FET의 unbiased 채널 저항을 사용하여 주파수 혼합하므로 낮은 IMD를 특성을 갖는다. 제작된 서브 하모닉 저항성 혼합기의 변환손실은 LO 신호전력이 13 dBm일 때, 10.67 dB이다. 그리고 혼합기의 IIP3는 21.5 dBm이다.

Keywords

References

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  2. IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. v.MTT-35 A GaAs MESFET mixer with very low intermodulation Mass, Stephen A.
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  4. IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. v.3 MTT-35 Two-tone intermodulation in diode mixer Mass, S.A.
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