Properties of Organic Light Emitting Diode with ITO/MEH-PPV/Al Structure on Heating Temperatures

열처리 온도에 따른 ITO/MEH-PPV/Al 구조의 유기 발광다이오드의 특성연구

Polymer light emitting diode (PLED) with an ITO/MEH-PPV/Al structure were prepared by spin coating method on the ITO (indium tin oxide)/glass substrates, using poly(2-methoxy-5-(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinylene (MEH-PPV) as the light emitting material. The dependence of heat treatment on the electrical and optical properties for the prepared PLED samples were investigated. The luminance decreased greatly from 630 cd/$\m^2$ to 280 cd/$\m^2$ at 10V input voltage as the heating temperature increased from $65^{\circ}C$ to $170^{\circ}C$. In addition, the luminance efficiency was found to be about 2 lm/W for the sample heat treated at $65^{\circ}C$. These results may be related to the interface roughness and/or the formation of an insulation layer, which is caused by the reaction between electrode and MEH-PPV organic luminescent film layer.

ITO/glass 기판 위에 발광물질로서 poly(2-methoxy-5-(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinylene (MEH-PPV)를 이용하여 스핀코팅법(spin coating)으로 Glass/ITOM/MEH-PPV/Al 구조를 가지는 고분자 유기 발광 다이오드를 제작하였다. MEH-PPV 박막형성시 열처리온도에 따른 다이오드의 전기적, 광학적 특성을 조사하였다. 열처리 온도를 $65^{\circ}C$에서 $170^{\circ}C$로 증가함에 따라 유기 발광다이오드의 발광휘도는 10V 인가전압에서 630 cd/$\m^2$에서 280 cd/$\m^2$로 크게 감소하였다. 또한 $65^{\circ}C$에서 열처리한 시료의 경우 약 2 lm/W의 최대 발광효율을 나타내었다. 이러한 결과는 높은 온도에서 열처리시 MEH-PPV 유기 형광층과 전극간의 상호반응에 의한 계면 거칠기의 증가와 새로운 절연층의 형성 등과 관련이 있는것으로 판단된다.