Abstract
In this paper, the output power improvement of Push-Push FET DRO by adding the identical DR at the drain port as one used in the gate port, has been theoretically investigated. The investigation shows that the DR located between two microstrip lines locks the phase difference of two FET's outputs at 180 degree and improves the output power of Push-Push FET DRO. Since this effect can be used for correcting the impedance difference between two FETs output circuits and the electrical length error of the power combiner at the output circuit of Push-Push DRO, which may occur when fabricate the oscillator, the oscillator with an additional DR can be useful structure for fabricating oscillator.
본 논문에서는 Push-Push FET DRO회로의 게이트단에서 이용했던 동일한 유전체 공진기를 드레인단에 추가하면 출력이 증강되는 현상을 이론적으로 해석하였다. 본 해석은 두 개의 마이크로스트립 선로 사이에 위치한 유전체 공진기가 두개의 FET 출력 의 위상차를 고정시켜서 Push-Push FET DRO의 출력이 증가되는 것을 보인다. 이 영향을 Push-Push FET DRO 발진기 제작에서 발생할 수 있는 두 개의 FET 출력회로 사이의 임피던스 차이와 전력결합기의 전기적인 길이 오차를 수정하기 위해 사용할 수 있기 때문에 유전체 공진기가 부가된 Push-Push FET DRO는 발진기 제작에 유용한 구조가 될 것이다.