초록
본 연구에서는 RF magnetron sputtering으로 상온에서 증착된 ZnO압전박막을 이용하여, 1.96 GHz 대역의 air gap type의 FBAR BPF를 개발하였다. FBAR BPF는 Si wafer에 절연막으로 열 산화막층(SiO$_2$)을 형성한 후, 형성된 산화막 위에 바닥전극(Al), ZnO압전층 그리고 상부전극(Mo)를 차례로 RF magnetron sputter장비를 사용하여 증착시키고, Si wafer를 dry etching하여 air hole을 구현함으로써 device를 제조하였다. 제조된 FBAR BPF의 ZnO압전층의 XRD분석 결과 (002)면 방향으로 우선 배향되었으며, XRC의 $\sigma$값은 1.018이었다. 삽입손실 1 dB 내외로 우수한 특성을 나타내었다.
In This paper, we developed 1.96 GHz air gap type FBAR BPF using ZnO as piezoelectric sputtered by RF magnetron at room temperature. FBAR BPF was fabricated by sputtering bottom electrode (Al), ZnO as piezoelectric and top electrode (Mo) on Si wafer one by one with RF magnetron sputter, then Si was dry etched to make an air hole. XRD test result of fabricated FBAR BPF showed that ZnO crystal was well pre-oriented as (002) and sigma value of XRC was 1.018. IL(Insertion loss) showed excellent result as 1 dB.