Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회논문지)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
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Fabrication of 6H-SiC MOSFET and Digital IC

6H-SiC MOSFET과 디지털 IC 제작

  • 김영석 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부) ;
  • 오충완 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부) ;
  • 최재승 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부) ;
  • 송지헌 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부) ;
  • 이장희 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부) ;
  • 이형규 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부) ;
  • 박근형 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부)
  • Published : 2003.07.01
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Abstract

6H-SiC MOSFETs and digital ICs have been fabricated and characterized. PMOS devices are fabricated on an n-type epilayer while the NMOS devices are fabricated on implanted p-wells. NMOS and PMOS devices use a thermally grown gate oxide. SiC MOSFETs are fabricated using different impurity activation methods such as high temperature and newly proposed laser annealing methods. Several digital circuits, such as resistive road NMOS inverters, CMOS inverters, resistive road NMOS NANDs and NORs are fabricated and characterized.

Keywords

References

  1. SiC Materials and Devices Y.S.Park
  2. 전기전자재료학회논문지 v.13 no.3 SiC 반도체 공정 및 소자기술 연구 현황 김형준;나훈주;정재경
  3. 한국전기전자재료학회 2001 추계학술대회논문집 SiC 반도체 기술현황과 전망 김은동
  4. J. Electron. Materials v.27 Dopant activation and surface morphology of ion implanted 4H- and 6H- silicon carbride M.A.Capano;S.Ryu;M.R.Melloch;J.A.Cooper,Jr;M.R.Buss https://doi.org/10.1007/s11664-998-0417-4
  5. Journal of Crystal v.236 Step-bunching in SiC epitaxy: anisotropy and influence of growth temperature M.Syvajarvi;R.Yakimova;E.Janzen
  6. 충북대학교 반도체공학과 공학석사학위 논문 레이저 어닐링 공정을 도입한 SiC MOSFET 제작과 소자 특성 송지헌
  7. Ph. D. Dissertation, Purdue University Development of CMOS technology for smart power applications in silicon carbride S.H.Ryu
  8. 충북대학교 반도체공학과 공학석사학위 논문 SiC MOSFET의 SPICE 모델링 이원선
  9. IEEE Trans. Electron Devices v.45 Digital CMOS IC's in 6H-SiC operation on a 5-V power supply S.H.Ryu;K.T.Kornegay;J.A.Cooper,Jr;M.R.Melloch https://doi.org/10.1109/16.658810
  10. Principles of CMOS VLSI design N.H.E.Weste;K.Eshrachian
  11. Semiconductor Material and Device Chracterization D.K.Schroder
  12. IEEE Electron Device Letters v.18 Monolithic CMOS digital intergrated circuits in 6H-SiC using an implanted p-well process S.H.Ryu;K.T.Kornegay;J.A.Cooper,Jr;M.R.Melloch https://doi.org/10.1109/55.568759
  13. Semiconductor Physics and Devices D.A.Neamen
  14. Inst. Phys. Conf. Ser. v.141 Monolithic digital intergrated circuits in 6H-SiC W.Xie;J.Pan;J.A.Cooper,Jr;M.R.Melloch
  15. IEEE Electron Device Letters v.15 Monolithic NMOS digital intergrated circuits in 6H-SiC W.Xie;J.Pan;A.Cooper,Jr;M.R.Melloch https://doi.org/10.1109/55.334665
  16. Inst. Phys. Conf. Ser. v.142 Design and fabrication of depletion load NMOS intergrated circuits in 6H SiC S.H.Ryu;K.T.Kornegay
  17. 전기전자재료학회논문지 v.15 no.7 고온 응용을 위한 SiC MOSFET 문턱전압 모델 이원선;오충완;최재승;신동현;이형규;박근형;김영석 https://doi.org/10.4313/JKEM.2002.15.7.559
  18. 충북대학교 반도체 공학과 공학석사 학위 논문 SiC MOSFET의 공정기술에 관한 연구 신동현
  19. 충북대학교 반도체공학과 공학석사학위논문 P형 6H-SiC에 형성된 오믹 접합에 관한 연구 이창영
  20. 전기전자재료 학회논문지 레이저 활성화에 의한 p형 SiC와 비합금 Mo 오믹 접합 특성 이창영;송지헌;최재승;이재봉;김영석;박근형;이형규 https://doi.org/10.4313/JKEM.2003.16.7.557