대한전자공학회논문지SD (Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD)

대한전자공학회 (The Institute of Electronics and Information Engineers)
권호 표지

비정질 및 다결정 실리콘 TFT-LCD에서의 플리커(flicker) 현상 비교 분석 연구

A Comparative Study on the Quantitative Analysis of the Flicker Phenomena in the Amorphous-Silicon and Poly-Silicon TFT-LCDs

  • 손명식 (동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터) ;
  • 송민수 (경희대학교 물리학과) ;
  • 유건호 (경희대학교 물리학과) ;
  • 장진 (경희대학교 물리학과)
  • Son, Myung-Sik (Millimeter-wave Innovation Technology Research Center, Dongguk University) ;
  • Song, Min-Soo (Department of Physics, Kyung Hee University) ;
  • Yoo, Keon-Ho (Department of Physics, Kyung Hee University) ;
  • Jang, Jin (Department of Physics, Kyung Hee University)
  • 발행 : 2003.01.01
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초록

In this paper, we present results of the comparative analysis of the flicker phenomena in the poly-Si TFT-LCD and a-Si:H TFT-LCD arrays for the development and manufacturing of wide-area and high-quality TFT-LCD displays. We used four different types of TFTs; a-Si:H TFT, excimer laser annealed (ELA) poly-Si TFT, silicide mediated crystallization (SMC) poly-Si TFT, and counter-doped lateral body terminal (LBT), poly-Si TFT. We defined the electrical quantity of the flicker so that we could compare the flickers quantitatively for four different 40" UXGA TFT-LCDs. We identify three factors contributing to the flicker, such as charging time, kickback voltage and leakage current, and analyze how much each of three factors give rise to the flincker in the different TFT-LCD arrays. In addition, we suggest and show that, in the case of the poly-Si TFT-LCD arrays, the low-level (minimum) gate voltages should be carefully chosen to minimize the flicker because of their larger leakage currents compared with a-Si TFT-LCD arrays.

키워드

참고문헌

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