초록
Si(100)/Ta(50 )/NiFe(60 )/FeMn(250 )/NiFe(70 )/Al$_2$O$_3$/NiFe(150 )/Ta(50 )구조를 가진 자기터널접합의 자기저항비 향상에 관해서 연구하였다. 자성층과 절연층 사이 계면에 CoFe을 삽입하여 5.75%에서 13.7%까지 향상시켰다. 그리고 절연층은 16 의 Al을 순수한 산소 및 산소/아르곤 혼합 분위기에서 프라즈마 산화법으로 형성하였다. 순수한 산소 분위기에서는 최적 산화시간 30초에서 13.7%의 자기저항비를 얻었지만,산소/아르곤의 혼합기체를 사용하면 최적 산화시간 40초에서 15.3%의 자기저항비를 얻었다.
The dependence of CoFe interfacial layer thickness and plasma oxidation condition on tunneling magnetoresistance (TMR) in Ta/NiFe/FeMn/NiFe/Al$_2$O$_3$/NiFe/Ta tunnel junctions was investigated. As the CoFe layer thickness increases, TMR ratio rapidly increases to 13.7 % and decreases with further increase of the CoFe layer thickness. The increase of TMR with the CoFe thickness up to 25 was thought to be due mails to the high spin-polarization of CoFe. The maximum MR of 15.3% was obtained in the Si(100)/Ta(50 )/NiFe(60 )/FeMn(250 )/NiFe(70 )/Al$_2$O$_3$/NiFe(150 )/Ta(50 ) magnetic tunnel junction with a 16 Al oxidized for 40 sec using a Ar/O$_2$ (1:4) mixture gas.
