Journal of the Korean Chemical Society (대한화학회지)

Korean Chemical Society (대한화학회)
권호 표지

Determination of Metal Impurities at Near Surface of Silicon Wafer by Etching Method

에칭법을 이용한 실리콘 웨이퍼 표면 근처에서의 금속 분순물의 정량

  • Published : 20000600
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

The metal impurities in specific regions at near surface of silicon wafer were determined by constant depth etching·lt is possible to etch uniformly over the entire wafer surface by 1$\mu\textrm{m}$ depth with 5 mL of etching solution made up of HF and HNO$_3$ mixed by l:3 volume ratio. The microwave oven was used to evaporate the solution after etching. After spiking, The recoveries of Cu, Ni, Zn, Cr, Mg and K were found to be 99∼105%ted in polysilicon region and could be quantified by 1$\mu\textrm{m}$ depth.

실리콘 웨이퍼를 일정한 두께로 에칭하여 실리콘 웨이퍼 표면 근처의 특정영역에 존재하는 금속불순물을 정량하였다. HF와 $HNO_3$의 부피비를 1:3으로 혼합한 용액 5mL로 20분간 실리콘 웨이퍼와 반응 시켰을 때 1${\mu}m$ 두께로 웨이퍼 전면을 균일하게 에칭할 수 있었다. 에칭 후, 용액을 중발하기 위해 마이크로파 오븐을 사용하였는데 증발과정에서 spike한 Cu, Ni, Zn, Cr, Mg 및 K의 회수율은 99∼105%였다,Cu를 오염시킨 epitaxial 실리콘 웨이퍼의 경우 에칭법으로 전처리를 하여 ICP${\cdot}MS$로 측정한 결과, Cu는 뒷면의 표면으로부터 1∼2${\mu}m$ 안의 polysilicon영역에 집중적으로 분포하였고 Cu 농도를 1${\mu}m$두께의 범위에서 정량할 수 있었다.

Keywords

References

  1. Metal Impurities in Silicon Device Fabrication Graff, K.
  2. J. Electrochem. Soc. v.143 no.2025 Shabani, M. B.;Yoshimi, T.;Abe, H.
  3. Proceedings of the $2^{th}$ International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials Shabani, M. B.;Yoshimi, T.;Okuuchi, S.;Abe, H.;Umeno, M.(ed.)
  4. J. Radional Nucl. Chem. v.151 no.724 Park, K. S.;Kim, N. B.;Woo, H. J.;Kim, D. K.;Kim, J. K.;Choi, H. W.
  5. J. Radional. Chem. v.52 no.411 Fujinaga, K.;Kudo, K.
  6. J. Radional. Chem. v.38 no.37 Niese, S.
  7. J. Electrochem. Soc. v.128 no.669 Graff, K.;Preper, H.
  8. J. Electrochem. Soc. v.142 no.298 Nauka, K.;Gomez, D. A.
  9. J. Electrochem. Soc. v.145 no.701 Cacciato, A.;Vleeshowers, S.;Eveseev, S.
  10. Bunseki Kagaku v.46 no.743 Takenka, M.;Yamada, Y.;Hayashi, M.;Omori, H.;Ito, S.;Okada, A.
  11. Surface and Interface Analysis v.24 no.511 Hall, L. H.;Sees, J. A.;Schmidt, B. L.
  12. Semiconductor Silicon Crystal Technology Shimura, F.
  13. J. Electrochem. Soc. v.108 no.365 Schwartz, B.;Robbins, H.
  14. J. Electrochem. Soc. v.109 no.37 Klein, D. L.;DStefan, D. J.
  15. J. Electrochem. Soc. v.142 no.571 Park, T. H.;Ko, Y. S.;Shim, T. E.;Lee, J. G.;Kim, Y. K.
  16. Handbook of Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry Houk, R. S.;Jarvis, K. E.;Gray, A. L.
  17. Appl. Sepctrosc. v.42 no.1302 Skelly, E. M.;Distefano, F. T.
  18. J. Korean. Chem. Soc. v.43 no.412 Chung, H. Y.;Kim, Y. H.;Yoo, H. D.;Lee, S. H.
  19. Jpn. J. Appl. Phys. v.27 no.L2361 Hourai, M.;Naridomi, T.;Oka, Y>;Murakami, K.;Sumita, S.;Fujino, N. Shiraiwa, T.
  20. Jpn. J. Appl. Phys. v.19 no.L466 Kishino, S.;Nagasswa, K.;Iizuki, T.
  21. Proceedings of the Symosium on Crystalline Defects and Contamination: Their Impact and Control in Device Manufacturing Sano, M.;Ohguchi, S.;Sadamitsu, S.
  22. Proceedings of the Symosium on Crystalline Defects and Contamination: Their Impact and Control in Device Manufacturing Shabani, M. B.;Yoshimi, T.;Okuuchi, S.;Shingyoji, T.