Abstract
Pd/Ge ohmic contact system on n-type InGaAs was studied. A good ohmic begavior by rapid thermal annealing was shown up to $400^{\circ}C$, and the specific contact resistance was reduced to low-$10^-6\Omega\textrm{cm}^2$EX>. However, above $425^{\circ}C$ it was deteriorated by intermixing and phase reaction of ohmic metals and InGaAs substrate. No remarkable phase change was observed below $350^{\circ}C$, but the reaction was initiated at ~$375^{\circ}C$ and considerable phase change was found above $425^{\circ}C$. Non-spiking and planar interfaces were observed even when annealed at $425^{\circ}C$, and smooth and shiny surface was kept up to $400^{\circ}C$.
n형 InGaAs에 대한 Pd/Ge계 오믹 특성을 조사하였다. 급속 열처리 방법에 의해 $400^{\circ}C$까지 우수한 오믹 특성을 나타내어 low-10-6$\Omega\textrm{cm}^2$의 접촉 비저항을 보였으나, $425^{\circ}C$이 상에서는 오믹 금속과 InGaAs간의 상화 확산 및 상반응에 의해 오믹 특성이 저하되었다. $350^{\circ}C$이하에서는 상변화가 발생하지 않았지만, $375^{\circ}C$부근에서 상변태가 시작되어 $425^{\circ}C$이상 에서는 현저한 상변화가 관찰되었다. $425^{\circ}C$에서 열처리한 후에도 오믹 금속과 InGaAs와의 계면이 매우 평탄하였고, 오믹 금속의 표면도 $400^{\circ}C$까지 평탄하고 광택 있는 표면을 유지하 였다.
