Effects of 1 keV $Ar^+$ ion irradiation on Au films on glass

1 keV $Ar^+$ 이온의 조사가 유리기판위의 금 박막의 미치는 영향

  • Jang, H. G. (Division of Ceramics, Korea Institute of Science and Technology) ;
  • Kim, H. S. (Division of Ceramics, Korea Institute of Science and Technology) ;
  • Han, S. (Division of Ceramics, Korea Institute of Science and Technology) ;
  • Choi, W. K. (Division of Ceramics, Korea Institute of Science and Technology) ;
  • Koh, S. K. (Division of Ceramics, Korea Institute of Science and Technology) ;
  • Jung, H. J. (Division of Ceramics, Korea Institute of Science and Technology)
  • 장홍규 (한국과학기술연구원 세라믹스부) ;
  • 김기환 (한국과학기술연구원 세라믹스부) ;
  • 한성 (한국과학기술연구원 세라믹스부) ;
  • 최원국 (한국과학기술연구원 세라믹스부) ;
  • 고석근 (한국과학기술연구원 세라믹스부) ;
  • 정형진 (한국과학기술연구원 세라믹스부)
  • Published : 1996.12.01

Abstract

Au films with a thickness around 1600 $\AA$ were deposited onto glass at room temperature by ion beam sputtering with a 5 cm cold-hollow ion gun at pressure $1\times 10^{-6}-1\times 10^{-5}$ Torr. Irradiation of the Au deposited samples was carried out at pressure of $7\times 10^{-6}$ Torr. For the sputter depositions, $Ar^+$ ion energy was 1 keV, and the current density at the substrate surface was 15 $\mu$A/$\textrm{cm}^2$. Effects of 1 keV $Ar^+$ ion dose($I_d$) between $1\times 10^{16}\; and\;2\times 10^{17}\;Ar^+\textrm{cm}^{-2}$on properties such as crystallinity, surface roughness and adhesion, etc. of the films have been investigated. The Au films sputtered by $Ar^+$ ion beam had only (111) plane and the X-ray intensity of the films decreased with increase of $I_d$. The thickness of Au films reduced with Id. $R_{ms}$ surface roughness of the films increased from 16 $\AA$ at as-deposited to 1118 $\AA$ at ion dose= $2\times 10^{17}\;Ar^+\textrm{cm}^{-2}$. Adhesion of Au film on sputtered at $I_d$= $2\times 10^{17}\;Ar^+\textrm{cm}^{-2}$ was 9 times greater than that of Au film with untreated, as determined by a scratch test.

유리기판(BK7)에 5-cm cold-hollow cathode형 이온건(ion gun)을 이용한 sputtering 방법으로 금 박막을 1600$\AA$ 두께 (RBS확인한 두께 : 1590 $\AA$)로 증착하였다. 증착후 15$\mu$A/$\textrm{cm}^2$의 이온전류밀도를 갖는 1 keV $Ar^+$ beam을 이용하여 $1\times 10^{16}\;Ar^+\textrm{cm}^{-2}$에서 $2\times 10^{17}\;Ar^+\textrm{cm}^{-2}$의 이온선량을 조사하였다. 박막제작시와 $Ar^+$이온조사시의 진공도는 $1\times 10^{-6}-1\times 10^{-5}$Torr이었으며, 기판온도는 상온으로 하였다. 금 박막은 $Ar^+$이온의 조사에 관계없이 모두 (111)방향만 관찰되었으며, $Ar^+$이온이 조사된 시료의 x-ray peak의 세기는 이온선량이 증가함에 따라 감소하였다. Rutherford Backscattering Spectroscopy(RBS) 측정결과 $Ar^+$ 이온선량이 증가함에 따라 sputtering yield는 감소하였다. $2\times 10^{17}\;Ar^+\textrm{cm}^{-2}$의 이온선량이 조사된 시료는 두께가 711$\AA$으로 이온의 조사에 의해 Au 박막이 879$\AA$ sputter된 것을 확인하였으며, 이 때 sputtering yield는 2.57이었다. Atomic Force Microscope(AFM) 측정 결과 이온선량이 증가함에 따라 Au 박막의 Rms표면 거칠기는 16$\AA$에서 118$\AA$으로 증가하였다. 또한 Scratch test를 이용한 박막의 접착력 측정결과 이온선량이 증가함에 따라 유리기판위에 Au박막의 접착력은 1.1N에서 10N으로 9배 이상 증가하였다. 이상의 결과로부터 낮은 에너지의 이온선을 조사하여 유리기판고 금 박막사이에 좋은 접착력을 갖는 박막을 제작할 수 있었다.

Keywords

References

  1. J. Appl. Phys. v.37 D. M. Mattox
  2. Thin Film Phenomena K. L. Chopra
  3. Thin Solid Films v.107 S. S. Nandra;F. G. Wilson;C. D. DesForges
  4. Appl. Phys. Lett. v.44 I. V. Mitchell;J. S. Williams;P. Smith;R. G. Elliman
  5. Appl. Opt. v.22 P. J. Martin;H. A. Macleod;R. P. Netterfield;C. G. Pacey;W. G. Sainty
  6. J. Appl. Phys. v.55 P. J. Martin;R. P. Netterfield;W. G. Sainty
  7. Nucl. Instr. and Methods v.198 J. E. Griffith;Y. Qui;T. A. Tombrello
  8. Thin Solid Films v.107 S. Jacobson;B. Jonsson;B. Sundqvist
  9. Proc. Mat. Res. Soc. v.25 I. V. Mitchell;J. S. Williams;D. K. Sood;K. T. Short;S. Johnson;R. G. Elliman
  10. Appl. Phys. Letters v.44 V. Mitchell;J. S. Williams;P. Smith;R. G. Elliman
  11. Nucl. Instr. and Methods. v.B15 L. R. Doolittle
  12. Radiation Effects v.71 Y. Yamamura;N. Matsunami;N. Itoh
  13. Methods of Surfac Analysis J. M. Walls