한국결정성장학회지 (Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology)
- 제4권2호
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- Pages.119-130
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- 1994
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- 1225-1429(pISSN)
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- 2234-5078(eISSN)
태양전지용 다결정 실리콘 박막의 용액 성장법에 관한 연구
Polycrystalline silicon films for solar cell application by solution growth
- Soo Hong Lee (Photovoltanic Devices Lab., Materials & Device Research Center, Samsng Advanced Institute of Technology, Suwon 440-600, Korea) ;
- Martin A. Green (Center for Photovoltanic Devices and Systems, University of New South Wales, Kensington N.S.W. 2033, Australia)
- 발행 : 1994.06.01
초록
저팽창 보로실리케이트 유리기판상에 직접 결정질실리콘 박막을 성장시켜 주는 것이 고순도 금속을 사용한 용액성장법으로는 어려운 관계로 18가지 다른 코팅을 유리기판상에 입혀 실험한 결과 알루미늄과 마그네슘 처리한 기판과 스퍼터링 방법으로 유리기판상에 실리콘 박막을 열처리해준 후 용액성장시켜준 기판의 경우에 양호한 결과가 나왔다. 성장온도
To deposit silicon on borosilicate glass substrates, 18 different substrate combinations were investigated because of the difficulty of direct deposition of silicon. Sucessful results were obtained from Al-and Mg-treated glass and furnace annealed sputtered silicon deposited glass substrates. A continuous silicon thin film on a large area substrates was obtained in the temperatures ranges from
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