Second Harmonic Generation of Low Power Laser Diode Using a Ring Enhancement Cavity

고리형 Enhancement Cavity 를 이용한 저출력 반도체 레이저의 제2조화파 발생

  • 오차환 (한국표준과학연구원 시간·주파수연구실)
  • Published : 1993.05.01

Abstract

We carried out the second harmonic generation of low power CW laser diode with maximum power of 30 mW in $LilO_3$ crystals. We used a ring enhancement cavity to increase the second harmonic conversion efficiency. The ring enhancement cavity was Composed of two flat mirrors and two concave mirrors. The focal length of concave mirrors was 25 mm, and 5 mm long and 10 mm long $LilO_3$ crystals were used. We measured the second harmonic power according to the pumping power and compared with theoretical value. We obtained 397 nm second harmonic power of about $6.6{\mu}W$ in 10 mm long $LilO_3$ crystal with the fundumental 794 nm pumping power of 28 mW.

$LilO_3$ 결정에서 최대 출력 30mW의 저출력 CW 반도체레이저에 대한 제2조화파 발생 실험을 실시하였다. 두개의 오목 거울과 두개의 평면 거울로 이루어진 고리형 enhancement 공진기를 이용하여 제2조화파 변환 효율을 증가시켰다. 사용된 오목 거울의 곡률 반경은 50mm 이었고, $LilO_3$ 결정은 길이 5mm와 10mm의 두 개를 사용하였다. 펌핑 출력에 따른 제2조화파의 출력을 측정하고 이론값과 비교 하였다. 794nm의 펌프출력이 28mW 일 때 10mm의 $LilO_3$ 결정에서 $6.6{\mu}W$의 397 nm 출력을 얻을 수 있었다.

Keywords

References

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