A Study on the Test Circuit Design and Development of Algorithm for Parallel RAM Testing

RAM의 병렬 테스팅을 위한 알고리듬개발 및 테스트회로 설계에 관한 연구

In this paper, algorithm and testable circuit to find all PSF(Pattern Sensitive Fault ) occured in RAM were proposed. Conventional test circuit and algorithm took much time in testing because consecutive test for RAM cells or f-dimensional memory struciure was not employed. In this paper, methodology for parallel RAM-testing was proposed by compensating additional circuit for test to conventional RAM circuit. Additional circuits are parallel comparator, error detector, group selector circuit and a modified decoder used for parallel testing. And also, the constructive method of Eulerian path to obtain efficient test pattern was performed. Consequently, If algorithm proposed in this paper Is used, the same operations as 32sxwor4 lines will be needed to test b x w=n matrix RAM. Circuit simulation was performerd, and 10 bits x :If words testable RAM was designed.

본 논문에서는 RAM에서 발생하는 모든 PSF(Pattern Sensitive Fault)를 검사하기 위한알고리즘과 테스트회로를 제안하였다. 기존의 테스트회로와 사용된 알고리즘은 RAM셀들을 연속적으로 테스트하거나 메모리의 2차원적 구조를 사용하지 못했기 때문에 많은 테스트 시간이 소요되었다. 본 논문에서는 기존의 RAM회로에 테스트를 위한 부가적인 회로를 첨가하여 병렬적으로 RAM을 테스트 하는 방법을 제안하였다. 부가적으로 첨가된 회로로는 병렬 비교기와 오류 검출기, 그룹 선택회로 이고 병렬 테스팅 위해서 수정된 디코더를 사용하였다. 또한, 효과적인 테스트 패턴을 구하기 위해 Eulerian경로의 구성방법에 대해서도 연구를 수행하였다. 결과적으로, 본 논문에서 사용한 알고리즘을 사용하면 b x w=n의 매트릭스 형태로 표현되는 RAM을 테스트하는데 325*워드라인 수 만큼의 동작이 필요하게 된다. 구현한 각 회로에 대해서 회로 시뮬레이션을 수행한 후 10 bit*32 word Testable RAM을 설계하였다.