The Technology of Sloped Wall SWAMI for VLSI and Analysis of Leakage Current

고집적 회로를 위한 경사면 SWAMI 기술과 누설전류 분석

This paper present new scheme for a Side Wall Masked Isolation(SWAMI) technology which take all the advatages provided by conventional LOCOS process. A new SWAMI process incorporates a sloped sidewall by reactive ion etch and a layer of thin nitride around the side walls such that both intrinsic nitride stress and volume expansion induced stress are greatly reduced. As a fabricate results, a defect-free fully recessed zero bird's beak local oxidation process can be realized by the sloped wall anisotropic oxide isolation. No additional masking step is required. The leakage current of PN diodes of this process were reduced than PN diode of conventional LOCOS process. On the other hand, the edge junction part was larger than the flat juction part in the density of leakage current.

本 論文은 기존 LOCOS工程의 張點을 모두 겸비한 側面璧 SWAMI 技術에 대한 새로운 構造를 提示한다. 새로운 SWAMI공정은 순수 窒化膜 壓力과 體積 膨腸에 기인한 壓力을 크게 줄이기 위해서 側面璧 주위에 얇은 질화막과 反應性이온 飾刻으로 기울어진 실리콘 측면벽을 結合시켰따. 製作된 結果에 의하면, 缺陷이 없는 완전히 새부리 모양이 形成되지 않는 局地的 酸化 공정은 기울어진 面의 異方性 산화 隔離에 의해 實現시킬 수 있었다. 추가적인 마스크 段階는 要求되지 않는다. 이 工程에서 PN 다이오드의 漏泄電流는 기존 LOCOS 공정 보다 減少되었다. 한편 가장자리 部位는 漏泄電流 密度에서 평편한 接合 부위 보다 높게 分析되었다.