대한전자공학회논문지 (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics)
- 제26권5호
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- Pages.52-59
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- 1989
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- 1016-135X(pISSN)
스트레스전압 극성에 따른 얇은 산화막의 TDDB 특성
The TDDB Characteristics of Thin $SiO_2$ with Stress Voltage Polarity
- Kim, Cheon-Soo (Electronics and Telecommunications Research Institute) ;
- Yi, Kyoung-Soo (Electronics and Telecommunications Research Institute) ;
- Nam, Kee-Soo (Electronics and Telecommunications Research Institute) ;
- Lee, Jin-Hyo (Electronics and Telecommunications Research Institute)
- 발행 : 1989.05.01
초록
얇은 산화막의 신뢰성을 정전류 스트레스 방법으로 조사하였다. 실험에 사용된 소자는 산화막 두께가 20~25nm인 다결정실리콘 MOS 커패시터 이었다. VLSI 신뢰성 평가에 필수적인 자동측정 및 통계적 데이타분석을 HP9000 컴퓨터를 이용하여 수행하였다.측정한 TDDB 결과로부터 산화막의 결합밀도, 절연파괴 전하량(Qbd), 수명등을 측정한 결과 스트레스를 가하는 극성에 따라서 다른 특성이 나타났다. 결함밀도는 (-) 게이트 주입의 경우에 62개
The reliability of the thin thermal oxide was investigated by using constant current stress method. Polysilicon gate MOS capacitors with oxide thickness range of 20-25nm were used in this experiment. Automatic measurement and statistical data analysis which were essential in reliability evaluation of VLSI process preformed by HP 9000 computer. Based on TDDB results, defect density, breakdown charge (Qbd) and lifetime of oxide film were evaluated. According to the polarity of the stress, some different characteristics were shown. Defect density was 62/
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