전기의세계

대한전기학회 (The Korean Institute of Electrical Engineers)
권호 표지

16Mb DRAM의 중요 기술적 문제점

  • 김창현 (삼성전자 반도체부문연구소 MOS DVC GROUP) ;
  • 신윤승 (삼성전자 반도체부문연구소 MOS DVC GROUP) ;
  • 진대제 (삼성전자 반도체부문연구소 MOS DVC GROUP)
  • 발행 : 1989.04.01
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초록

16Mb DRAM을 개발하는데 필요한 주요한 기술적인 문제점으로 설계면에서는 전력소모, Noise, Vcc내부 전압강하회로를 들 수 있다. 기술적인 면은 CELL을 어떻게 형상화느냐에 따라 문제가 다르게 나타나나 단차에 따른 photo/etching, 박막의 leakage전류와 reliability, short channel에 따른 transistor특성의 안정화등이 있다. 특히 16Mb에서는 stack형, stack과 trench의 병합형이 cell의 주요형태가 될 전망이다.

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