대한전자공학회논문지 (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics)
- 제25권10호
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- Pages.1202-1208
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- 1988
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- 1016-135X(pISSN)
수치해석법에 의한 n-AlGaAs/GaAs 이종접합에서의 전자밀도와 전자 상태 계산
Calculation of Electron Density and Electronic States in n-AlGaAs/GaAs Heterointerface
- Kho, Jae-Hong (Dept. of elec. Eng., Hanyang Univ.) ;
- Kim, Choong-won (Dept. of elec. Eng., Hanyang Univ.) ;
- Park, Seong-Ho (Dept. of elec. Eng., Hanyang Univ.) ;
- Han, Baik-Hyung (Dept. of elec. Eng., Hanyang Univ.)
- 발행 : 1988.10.01
초록
n-AIGaAs/GaAs 계면에서의 2 차원 전자가스(2DEG)의 밀도와 전자상태를 각각 고전역학적인 방법과 양자역학적인 방법으로 계산하였다. Spacer두께와 AIGaAs층의 도핑농도가 2DEG 밀도에 주는 영향과 온도와 GaAs층의 불순물 농도가 전자상태에 미치는 영향을 조사하였다.
The electron density and electronic states in n- AlGaAs/GaAs heterointerface are calculated by using classical- and quantum-mechanics, respectively. We examine the effects of spacer layer thickness and doping concentration in AlGaAs layer on 2DEG density. Also, the dependences of electronic states of 2DEG upon temperature and acceptor concentration in GaAs layer are investigated.
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