Ultra-High-Speed Semiconductor Devices for Data Communication Applications -Digital GaAs IC'S and HEMT'S-

통신용 초고속 반도체소자 -Digital GaAs 직접회로와 HEMT'S를 중심으로-

GaAs, one of the III-V compounding semicondnctors, has been widely employed as base materials for the fabrication of the ultra-high-speed devices in the filelds of DBS, optical communications, MMIC'S and digital IC'S. There have been some reports on 4Kx4bit SRAM by D/E MESFET'S, 4K bit SRAM by HEMT'S, and receiver front ends for X-band by MMIC technologies, respectively. This paper reviews GaAs materials, wafer fabrication processes, device applications, and design aspects, and, finally, descusses the future of the ultra-high-spped-devices.

III-V족 복합물 반도체인 GaAs를 이용한 초고속소자는 DBS(Direct Broadcast Satellite), 광통신, microwave 및 digital 집적회로에 널리 사용되낟. 이와 같은 GaAS를 substrate재료로 D/E MESFET'S을 이용한 4Kx4bit SRAM, HEMT'S에 의한 4K bit SRAM과 X-band용 수신기전단부의 MMIC화가 보고되였고, 3차원적인 광집적회로의 연구도 가까운 장래에 완성될 것이다. 본 논문에서는 현재까지 널리 사용되어온 GaAs반도체 재료, 제조공정기술, 소자응용과 집적회로 설계면을 고찰 검토한다. 마지막으로 초고속소자의 전망을 논의한다.