질화실리콘막을 사용한 표면보호층 구조에 관한 연구

Passivation Layer Structures with a Silicon Nitride film

APCVD SiO2 또는 PSG 및 PECVD SiN막으로 구성된 이중 또는 삼중층의 반도체 표면보호막 구조의 특성을 층배합방법, 두께 등이 다른 여러 경우에 대하여 비교분석하였다. 문턱전압의 변동, 크랙 및 핀·홀의 발생, 내습성 등의 성질을 검토한 결과, 4,000Å 이상의 두께를 가진 PSG막과 6,000Å 두께의 SiN막으로 된 이중층이 표면보호막 구조로 가장 적합하다는 결론을 얻었다.

Comparisons and analyses were made of the properties of double or triple passivation layer structures composed of APCVD SiOt or PSG and PECVD SiN films with various layer combinations and layer thicknesses. As a result of the analyses of the pro.peHics such as threshold-voltage shift, crack resistance, pinhole density, and moisture reslstancei a con-clusion was reached that the proper passivation layer structure is the double layer consisting of a 4,00$\AA$ or thicker PSG film and a 6,000$\AA$ SiN film.