쇼트키 배리어 CMOS

  • Published : 1985.12.01

Abstract

이 방법은 기존의 CMOS제작방법에 비교하여 스윗칭 속력의 증가와 제작의 단순화, 적은 디바이스로의 축소 용이와 집적밀도 증가, 균형된 스윗칭, 신뢰도 증가라는 잇점을 보유하고 있다.

Keywords