바나디움 주화물 반도체에 의한 발진현상에 관한 연구

A Study on the Oscillation of Metal Vanadium Oxide Semiconductor

본 논문에서는 바나디움 주화물을 사용한 새로운 반도체 소자인 C.T.R을 제조하여 그외 전기적 특성을 조사하였다. 그 실험결과는 다음과 같다. (1) 제조될 C.T.R의 저항급변계수 는 3정도였고, (2) 의 값은 환원시간과 급냉시간에 크게 의존하였으며, (3) 의 큰 값을 갖는 C.T.R은 짧은 switching현상을 갖는다.

In this paper, we fabricated a samiconductor C. T. R.(Critical Temperature Resisthor) using vanadium-oxides as material and measured its electrical characteustics. Experimental results are as follows; (1) The abrupt resistance change coefficient of the fabricated C. T, R., , is approximately 3 and (2) the value of depends largely on the reducing time and quenching time and also (3) the C. T, R. with larger value of has shorter switching time.