Proceeding of EDISON Challenge (EDISON SW 활용 경진대회 논문집)

Korea Institute of Science and Technology Information (한국과학기술정보연구원)
권호 표지

MOS Capacitor 에서 Fixed Oxide Charge 가 문턱전압에 미치는 영향 분석

  • 차수형 (전자전파공학과, 경희대학교)
  • Published : 2016.03.22
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Abstract

본 논문에서는 MOS(Metal Oxide Semiconductor) Capacitor의 산화막내에 다양한 원인에 의해 존재하는 비이상적인 전하들 중 Fixed Oxide Charge가 소자의 문턱전압에 어떤 영향을 주는지 분석했다. 분석한 결과 n+ polysilicon Gate를 가지고, 산화막인 $SiO_2$의 두께가 3nm이고, 도핑농도가 $10^{18}cm^{-2}$인 P형 실리콘 기판으로 이루어진 MOS Capacitor에서 Fixed Oxide Charge Density가 $C/cm^2$ 이상일 때 문턱전압을 0.01V 이상 감소시키고 $C/cm^2$ 이하일 때 문턱전압을 0.01V 이상 증가시켰다.

Keywords