Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)
- 2016.10a
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- Pages.614-615
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- 2016
Electrical Coupling of Monolithic 3D Inverter Consisting of Junctionless FET
Junctionless FET로 구성된 적층형 3차원 인버터의 전기적 상호작용에 대한 연구
- Jang, Ho-Yeong (Hankyong National University) ;
- Kim, Kyung-won (Hankyong National University) ;
- Ahn, Tae-Jun (Hankyong National University) ;
- Yu, Yun Seop (Hankyong National University)
- Published : 2016.10.27
Abstract
I studied electrical coupling of monolithic 3D inverter(M3D-INV) consisting of Junctionless FET(JLFET). If the thickness of Inter Layer Dielectric (ILD) between top JLFET and bottom JLFET is less than 50nm, current-voltage characteristic of top JLFET is rapidly changed by the gate voltage of bottom JLFET. Therefore, you have to consider about the electrical interaction according to the thickness between top JLFET and bottom JLFET in M3D-INV.
Junctionless FET(JLFET)로 구성된 적층형 3차원 인버터의 전기적 상호작용을 연구하였다. 상단과 하단 트랜지스터의 사이에 Inter Layer Dielectric (ILD) 두께가 50 nm 이하일 때에 하단 트랜지스터의 게이트 전압에 따라서 상단 트랜지스터에 전류-전압 특성이 급격히 변화하는 모습을 보였다. 따라서, 적층형 구조를 사용할 때에도 두 트랜지스터의 거리에 따른 전기적 상호작용을 고려해야 한다.