Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

저온공정 InSnZnO 채널층을 이용한 산화막/산화막/산화막 비휘발성 메모리 소자의 전기적 특성 연구

  • 이소진 (전자전기컴퓨터공학과, 성균관대학교) ;
  • ;
  • 장경수 (전자전기컴퓨터공학과, 성균관대학교) ;
  • 김태용 (전자전기컴퓨터공학과, 성균관대학교) ;
  • 이영석 (에너지과학과, 성균관대학교) ;
  • 이준신 (전자전기컴퓨터공학과, 성균관대학교)
  • Published : 2016.02.17
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Abstract

이 연구에서는 산화막/산화막/산화막 적층구조의 블로킹산화막/전하저장층/터널링산화막과 InSnZnO를 채널층으로 이용한 비휘발성 메모리 (NVM) 소자의 메모리 특성을 확인하였다. NVM 소자의 기본 전기적 특성의 경우 $19.8cm2/V{\cdot}s$의 높은 전계효과 이동도, 0.09V의 낮은 문턱전압, 0.127 V/dec의 낮은 기울기 및 $1.47{\times}107$의 높은 전류점멸비를 나타내었다. 또한, InSnZnO의 경우 가시광영역에서 85% 이상의 투과도를 가짐을 확인하였다. NVM소자의 경우, +12V의 Programming과 1ms의 Programming duration time에서 104s 이후 86%이상의, 그리고 10년 후 67% 이상의 우수한 전하보유시간 특성을 나타내었다. 이를 통해 투명플렉서블 메모리 시스템에 산화막/산화막/산화막 적층구조의 InSnZnO NVM소자의 응용 가능성이 높다고 판단한다.

Keywords