Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)
- 2016.05a
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- Pages.166-168
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- 2016
Structure Guide Lines of Silicon-based Pocket Tunnel Field Effect Transistor
실리콘 기반 포켓 구조 터널링 전계효과 트랜지스터의 최적 구조 조건
- Ahn, Tae-Jun (Department of Electrical, Electronic and Control Engineering, Hankyong National University) ;
- Yu, Yun Seop (Department of Electrical, Electronic and Control Engineering, Hankyong National University)
- Published : 2016.05.25
Abstract
This paper introduces about the structure guide lines of pocket tunneling Field effect transistor. As the pocket length or thickness increase, on-current
이 논문은 포켓 구조 터널링 전계효과 트랜지스터의 구조에 대한 여러 가지 조건을 소개한다. 포켓의 길이는 길어질수록