이중 주파수를 사용한 펄스 유도 결합 플라즈마의 특성 연구

  • 이승민 (성균관대학교 신소재공학부) ;
  • 김경남 (성균관대학교 신소재공학부) ;
  • 김태형 (성균관대학교 신소재공학부) ;
  • 이철희 (성균관대학교 신소재공학부) ;
  • 김기석 (성균관대학교 신소재공학부) ;
  • 배정운 (성균관대학교 신소재공학부) ;
  • 염근영 (성균관대학교 신소재공학부)
  • Published : 2014.11.20

Abstract

Plasma를 이용하는 반도체 공정에서 high density, plasma uniformity 및 electron temperature와 같은 plasma 특성을 조절하는 것은 차세대 공정 장비 개발에 있어서 매우 중요한 요소이다. 본 연구에서는 이를 위해 2개의 다른 주파수를 사용하는 spiral type의 안테나에 pulse를 적용시켜 각각 인가되는 power를 조절함으로써 plasma의 특성을 조절하고자 하였다. 또한 pulse plasma를 적용하여 다양한 duty ratio 조건에서 plasma 특성을 확인하였으며 식각 공정을 통하여 etch selectivity를 향상시키려 하였다.

Keywords