Proceedings of the KIPE Conference (전력전자학회:학술대회논문집)
- 2014.11a
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- Pages.197-198
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- 2014
Problem Analysis of Phase Shifted DC-DC Converter Using GaN FET
GaN FET을 적용한 위상 천이 DC-DC 컨버터의 문제점 분석
- Joo, Dong-Myoung (Sungkyunkwan University) ;
- Kim, Dong-Sik (Daejin University) ;
-
Lee, Byoung-Kuk
(Sungkyunkwan University)
;
- Kim, Jong-Soo (Daejin University)
- Published : 2014.11.28
Abstract
본 논문에서는 Si MOSFET을 차세대 반도체인 GaN FET(Gallium Nitride Field Effect Transistor)으로의 대체 할 시 발생하는 문제점을 분석한다. 다양한 전력변환 시스템에 적용 가능한 위상 천이 풀브리지(Phase Shifted Full Bridge) DC-DC 컨버터를 대상으로 각각 Si MOSFET 및 GaN FET를 적용하고 실험을 통해 문제점을 확인 및 분석한다.
Keywords