Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2013.08a
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- Pages.205-205
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- 2013
Terahertz Generation and Detection Using InGaAs/InAlAs Multi Quantum Well
- Park, Dong-U ;
- Han, Im-Sik ;
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No, Sam-Gyu
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- Ji, Yeong-Bin ;
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O, Seung-Jae
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Seo, Jin-Seok
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Jeon, Tae-In
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Kim, Jin-Su
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Kim, Jong-Su
- 박동우 (한국표준과학연구원, 나노소재평가센터) ;
- 한임식 (한국표준과학연구원, 나노소재평가센터) ;
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노삼규
(한국표준과학연구원, 나노소재평가센터) ;
- 지영빈 (연세대학교, 연의생공연 메디컬 융합연구소) ;
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오승재
(연세대학교, 연의생공연 메디컬 융합연구소) ;
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서진석
(연세대학교, 연의생공연 메디컬 융합연구소) ;
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전태인
(한국해양대학교 전자공학과) ;
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김진수
(전북대학교, 신소재공학부) ;
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김종수
(영남대학교, 물리학과)
- Published : 2013.08.21
Abstract
테라헤르쯔(terahertz: THz)파는 0.1~10 THz 의 범위로 적외선과 방송파 사이에 광대역 주파수 스펙트럼을 차지하고 있으며 직진성, 투과성, 그리고 낮은 에너지 (meV)를 가지고 있어 비 파괴적이고 무해한 장점을 지니고 있다. Ti:sapphire laser와 같은 femto-pulse source 등이 많은 발전이 되어 현재 많은 연구와 발전이 이루어지고 있다. femto-pulse source를 이용한 THz 응용에서는 높은 저항, 큰 전자 이동도, 그리고 아주 짧은 전하수명의 기판을 요구하는데 저온에서 성장한 (low-temperature grown : LT) GaAs는 격자 내에 Gallium 자리에 Arsenic이 치환 하면서 AsGa antisite가 발생하여 전하수명을 짧아지는 것을 응용하여 가장 많이 이용되고 있다. 현재 THz 응용분야에서 보다 작고 가격경쟁력이 있는 광통신을 이용한 THz photomixer등이 활발히 연구 하고 있다. 광섬유 내에서 손실과 분산이 최소값을 가지는 부분이 1.55