$CdCl_2$ 활성화 공정과 후면 산화막 제거 공정을 거친 CdTe 박막의 표면 물성 변화 연구

  • 천승주 (고려대학교 신소재 공학과) ;
  • 이승훈 (고려대학교 신소재 공학과) ;
  • 정영훈 (고려대학교 화공생명 공학과) ;
  • 배종성 (한국기초과학지원연구원 하이테크소재연구부) ;
  • 김지현 (고려대학교 화공생명 공학과) ;
  • 김동환 (고려대학교 신소재 공학과)
  • Published : 2012.05.17

Abstract

CdS/CdTe 박막 태양전지의 경우 높은 광흡수 계수를 가지고 있는 CdTe 다결정 박막을 흡수층으로이용 한다. CdTe 다결정 박막의 경우 CdS/CdTe 계면과 박막 내부에 많은 결함들이 존재 하며, CdTe 박막 내부에 존재하는 캐리어의 수를 증가 시키기 위하여 $CdCl_2$ 활성화 공정을 거치게 된다. 이때 박막의 물성 변화를 분석 하기 위하여, X-Ray Diffractometer (XRD), X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS)를 이용하여 박막 표면 분석을 진행 하였다. 이를 통해 박막 표면에서 산소가 Cd와 Te과 결합하면서 산화막이 생성되는 것을 확인하였다. 박막 표면에 생성된 산화막은 후면 금속 전극 형성을 위해, 용액 공정을 통하여 제거 되는데, 이때 CdTe 박막 표면에서 Cd이 용액에 의해 제거 되는 것을 확인 하였다.

Keywords