Numerical modeling of E-beam melting and impurity detection of metallic Si

태양광급 실리콘 정련을 위한 전자빔 용융 모델링과 실시간 불순물 분석 방법

  • 지정은 (군산대학교 신소재 공학과, 플라즈마응용센터) ;
  • 주정훈 (군산대학교 신소재 공학과, 플라즈마응용센터) ;
  • 장보윤 (에너지기술연구원) ;
  • 안영수 (에너지기술연구원)
  • Published : 2009.10.14

Abstract

다결정 실리콘 태양전지는 생산단가가 싸고 대면적화가 가능하여 상용화에 적합한 대안으로 제시되어 활발히 연구되고 있다. 그러나 다결정 실리콘 기관은 단결정에 비하야 B, P를 포함한 불순물이 많고 dialocation, twin, grain boundary 등의 결정 결함이 많아 비저항을 떨어뜨린다. 본 연구에서는 금속실리콘(99.9% Sl)을 태양광 급 고 순도 실리콘정녈하기 위하여 E-beam 용융 시 균일한 열전달 방법을 전산모사 하였다. 또한 소량의 반응성 가스($O_2$, $H_2$, $H_2O$)를 공급하는 경우 B와 P가 휘발성이 강한, BO, PO등으로 변하는 경우 QMS(Quadrupole mass spectrometer)로 검출가능 할 것인지 계산하였다.

Keywords