Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2009.06a
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- Pages.206-207
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- 2009
Room tempearture deposition of SiN film by using $SiH_4-NH_3-N_2$ plasma: Effect of duty ratio on Ion energy and Refractive index
펄스드 플라즈마를 이용한 $SiH_4-NH_3-N_2$ 에서의 SiN박막의 상온 증착 : Duty ratio 이온에너지와 굴절률에의 영향
- Lee, Hwa-Joon (Sejong Univ.) ;
- Kim, Byung-Whan (Sejong Univ.)
- Published : 2009.06.18
Abstract
PECVD를 이용하여 상온에서 Silicon nitride 박막을 제조하였다. 그리고 증착 중에 non-invasive ion energy analyzer를 이용하여 이온에너지와 이온에너지 flux룰 측정하였다. PECVD의 소스 파워는 500W, 바이어스 파워 100W으로 고정하고 주파수 250Hz으로 고정된 상태에서 펄스를 인가하여 duty ratio를 30-100%까지 변화시켰다. 작은 duty ratio 범위 (30-70%)에서 duty ratio가 감소할 때, 이온에너지와 이온에너지의 비가 감소하였다. 이 때 감소되는 굴절률은 저이온에너지 변수와 강한 연관성을 지니고 있었다. 굴절률은 1.65-2.46 사이에서 변화하였다.