한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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- Pages.183-183
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- 2009
Indium Zinc Tin turnary Transparent Conducting Oxide에서의 dopant 첨가에 따른 전기적 특성
Electrical properties of Indium Zinc Tin tummy Transparent Conducting Oxide which doped impurities
- Seo, Han ;
- Park, Jung-Ho (Ceramics for Display & Optics Lab, KICET) ;
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Choi, Byung-Hyun
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Jy, Mi-Jung
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Kim, Sea-Gee
(Ceramics for Display & Optics Lab, KICET)
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Ju, Byeong-Kwon
(College of Engineering, Korea Univ)
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- Hong, Sung-Pyo (DSM corp.)
- 발행 : 2009.06.18
초록
본 연구에선 ITO에 사용되는 Indium의 양을 줄이기 위해 ITO와 유사한 성질을 보이는 조성인 Indium - Zinc - Tin Turnary compound를 연구하였다. 각 조성은 Indium - Zinc - Tin Turnary compound를 기본으로 하여 Zinc site에 이종원소인 Al2O3와 Ga2O3를 doping함에 따라 변화되는 전기적 특성을 살며보았다. 분석에 사용한 Ceramic pellet은 일반적인 Ceramic process를 거쳐 제작되었다. 각 조성의 전기적 특성은 TCR meter와 Hall effect analyser를 이용하여 측정하였고, X-ray diffraction measurements(XRD), Scanning Electron microscope(SEM)를 이용하여 결정학적 특성을 분석하였다.