한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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- Pages.92-92
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- 2009
Strained Silicon-on-Insulator (sSOI) 기판으로 제작된 Triple-gate MOSFETs의 단채널 효과와 이동도 특성
Characteristics of Short channel effect and Mobility in Triple-gate MOSFETs using strained Silicon-on-Insulator (sSOI) substrate
- Kim, Jae-min (School of Electrical Eng. and Computer Sci., Kyungpook National University) ;
- Sorin, Cristoloveanu (IMEP, Minatec-National Polytechnic Institute of Grenoble(INPG)) ;
- Lee, Yong-hyun (School of Electrical Eng. and Computer Sci., Kyungpook National University) ;
- Bae, Young-ho (Department of Electronics Engineering, Uiduk University)
- 발행 : 2009.06.18
초록
본 논문에서는 strained Silicon-on-Insulator (sSOI) 기판에 제작된 triple-gate MOSFETs 의 이동도와 단채널 효과에 대하여 분석 하였다. Strained 실리콘에 제작된 소자는 전류의 방향이 <110> 밤항일 경우 전자의 이동도는 증가하나 정공의 이동도는 오히려 감소하는 문제점이 있다. 이를 극복하기 위하여 소자에서 전류의 방향이 <110>방향에서 45 도 회전된 <100> 방향으로 흐르게 제작하였다. Strain이 가해지지 않은 기판에 제작된 동일한 구조의 소자와 비교하여 sSOI 에 제작된 소자에서 전자의 이동도는 약 40% 정공의 이동도는 약 50% 증가하였다. 채널 길이가 100 nm 내외로 감소함에 따라 나타나는 drain induced barrier lowering (DIBL) 현상, subthreshold slope (SS)의 증가 현상에서 sSOI에 제작된 소자가 상대적으로 우수한 특성을 보였으며 off-current leakage (