Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2009.06a
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- Pages.9-9
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- 2009
RF-magnetron sputtering 방법으로 성장시킨 Ga-doped ZnO 박막의 성장 온도 변화에 따른 영향
- Kim, Yeong-Lee ;
- U, Chang-Ho ;
- An, Cheol-Hyeon ;
- Bae, Yeong-Suk ;
- Gong, Bo-Hyeon ;
- Kim, Dong-Chan ;
- Jo, Hyeong-Gyun
- 김영이 (성균관대학교 신소재공학) ;
- 우창호 (성균관대학교 신소재공학) ;
- 안철현 (성균관대학교 신소재공학) ;
- 배영숙 (성균관대학교 신소재공학) ;
- 공보현 (성균관대학교 신소재공학) ;
- 김동찬 (성균관대학교 신소재공학) ;
- 조형균 (성균관대학교 신소재공학)
- Published : 2009.06.18
Abstract
1 wt % Ga-dope ZnO (ZnO:Ga) thin films with n-type semiconducting behavior were grown on c-sapphire substrates by radio frequency magnetron sputtering at various growth temperatures. The room temperature grown ZnO:Ga film showed the faint preferred orientation behavior along the c-axis with small domain size and high density of stacking faults, despite limited surface diffusion of the deposited atoms. The increase in the growth temperature in the range between
Keywords