Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 2009.07a
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- Pages.1281_1282
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- 2009
Effect of drain bias stress on the stability of nanocrystalline silicon TFT
드레인 전압 바이어스에 대한 미세결정 실리콘 박막 트랜지스터의 전기적 안정성 분석
- Ji, Seon-Beom (Seoul National University) ;
- Kim, Sun-Jae (Seoul National University) ;
- Park, Hyun-Sang (Seoul National University) ;
- Han, Min-Koo (Seoul National University)
- Published : 2009.07.14
Abstract
ICP-CVD를 이용하여 inverted staggered 구조를 갖는 미세결정 실리콘 (Nanocrystalline Silicon, nc-Si) 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)를 제작하였다. 또한, 소자의 특성과 전기적 안정성을 평가하였다. 실험 결과는 짧은 채널 길이를 갖는 nc-Si TFT가 긴 채널 길이의 소자보다 같은 드레인 전압 바이어스 하에서 덜 열화 됨을 알 수 있었다. 이는 드레인 전압 바이어스 하에서의 낮은 채널 캐리어 농도는 적은 defect state를 만들기 때문으로 짧은 채널 길이의 TFT가 긴 채널 길이의 TFT보다
Keywords