Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2008.06a
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- Pages.41-42
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- 2008
An inspection of stability for annealing SiOCH thin flim
SiOCH 박막의 열처리에 대한 안정성 검토
- Park, Yong-Heon (Korea Air Force Academy) ;
- Kim, Min-Seok (CheongJu Univ.) ;
- Hwang, Chang-Su (Korea Air Force Academy) ;
- Kim, Hong-Bae (CheongJu Univ.)
- Published : 2008.06.19
Abstract
p-type(100) Si 위에 BTMSM과 산소를 혼합한 전구체를 가지고 PECVD 방법을 사용 하여 저유전상수를 갖는 SiOCH막을 형성하였다. 알루미늄 전극을 구현한 MIS (Al/SiOCH/p-si(100)) 구조의 커패시터를 가지고 C-V 특성을 측정하여 유전상수를 계산하였다. 상온에서 증착된 SiOCH 박막의 유전상수는